基于Mix-IS算法的SRAM设计及良率分析
| 中文摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 半导体存储器概述 | 第9-10页 |
| 1.2 研究背景及意义 | 第10-11页 |
| 1.3 SRAM结构 | 第11-12页 |
| 1.4 SRAM存储单元 | 第12-15页 |
| 1.4.1 数据保持 | 第14页 |
| 1.4.2 数据读出 | 第14页 |
| 1.4.3 数据写入 | 第14-15页 |
| 1.5 本文主要工作及章节安排 | 第15-17页 |
| 第二章 亚40纳米SRAM稳定性分析 | 第17-26页 |
| 2.1 工艺参数波动变化介绍 | 第17-19页 |
| 2.2 SRAM存储单元失效机制 | 第19-22页 |
| 2.2.1 读操作失效 | 第19-20页 |
| 2.2.2 写操作失效 | 第20-21页 |
| 2.2.3 数据保持失效 | 第21-22页 |
| 2.2.4 访问时间失效 | 第22页 |
| 2.3 SRAM存储单元性能参数 | 第22-24页 |
| 2.3.1 静态噪声容限 | 第22-23页 |
| 2.3.2 读噪声容限 | 第23-24页 |
| 2.3.3 写裕度 | 第24页 |
| 2.4 本章小结 | 第24-26页 |
| 第三章 快速蒙特卡罗算法的实现 | 第26-40页 |
| 3.1 蒙特卡罗方法及其应用 | 第26-30页 |
| 3.1.1 蒙特卡罗方法基本思想 | 第26-27页 |
| 3.1.2 蒙特卡罗方法在CMOS电路中的应用 | 第27-29页 |
| 3.1.3 传统蒙特卡罗方法的局限性 | 第29-30页 |
| 3.2 重要性采样算法 | 第30-33页 |
| 3.2.1 重要性采样算法原理 | 第30-31页 |
| 3.2.2 偏置函数典型构造方法 | 第31-33页 |
| 3.3 混合重要性采样算法的实现 | 第33-39页 |
| 3.3.1 混合重要性采样算法原理 | 第34-35页 |
| 3.3.2 平移量sμ的确定 | 第35-36页 |
| 3.3.3 抽样方法 | 第36-37页 |
| 3.3.4 仿真效率比较 | 第37-39页 |
| 3.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 SRAM测试片设计 | 第40-56页 |
| 4.1 SRAM测试片总体结构 | 第40-42页 |
| 4.2 SRAM存储单元设计 | 第42-46页 |
| 4.2.1 存储单元设计方法 | 第42-45页 |
| 4.2.2 存储阵列设计 | 第45-46页 |
| 4.3 灵敏放大器设计 | 第46-51页 |
| 4.3.1 灵敏放大器架构 | 第47-50页 |
| 4.3.2 灵敏放大器参数确定策略 | 第50-51页 |
| 4.4 外围电路设计 | 第51-55页 |
| 4.4.1 行译码器 | 第51-52页 |
| 4.4.2 列复用电路 | 第52-53页 |
| 4.4.3 输入缓冲电路 | 第53页 |
| 4.4.4 输出缓冲电路 | 第53-54页 |
| 4.4.5 升压电路 | 第54-55页 |
| 4.5 本章小结 | 第55-56页 |
| 第五章 版图设计及仿真数据分析 | 第56-62页 |
| 5.1 版图设计 | 第56-57页 |
| 5.2 系统仿真与分析 | 第57-61页 |
| 5.2.1 功能仿真 | 第58-59页 |
| 5.2.2 读写模式最小工作电压仿真 | 第59-60页 |
| 5.2.3 漏电流 | 第60页 |
| 5.2.4 存储阵列良率分析 | 第60-61页 |
| 5.3 本章小结 | 第61-62页 |
| 第六章 总结与展望 | 第62-64页 |
| 6.1 总结 | 第62-63页 |
| 6.2 展望 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
