首页--工业技术论文--自动化技术、计算机技术论文--自动化技术及设备论文--自动化元件、部件论文--发送器(变换器)、传感器论文

基于金属氧化物的二甲苯气体传感器的制备及其气敏性能研究

中文摘要第4-6页
Abstract第6-7页
第一章 绪论第11-25页
    1.1 前言第11页
    1.2 气体传感器第11-17页
        1.2.1 传感器概述第11-12页
        1.2.2 气体传感器简介第12页
        1.2.3 气体传感器分类第12-14页
        1.2.4 半导体式气体传感器敏感机制第14-15页
        1.2.5 半导体式气体传感器性能参数第15-17页
    1.3 半导体功能材料简介第17-21页
        1.3.1 半导体功能材料概述第17页
        1.3.3 金属氧化物气敏材料性能影响因素第17-21页
    1.4 半导体式气敏材料制备方法第21-23页
        1.4.1 液相沉淀法第22页
        1.4.2 水热法和溶剂热法第22页
        1.4.3 水浴法第22-23页
    1.5 金属氧化物基半导体式气体传感器的研究现状第23页
    1.6 二甲苯简介第23页
    1.7 本论文的主要工作第23-25页
第二章 多孔Co_3O_4棒状材料的制备及其气敏性能研究第25-34页
    2.1 引言第25-26页
    2.2 实验过程第26-29页
        2.2.1 具有多孔的Co_3O_4棒状材料的制备第26-27页
        2.2.2 材料表征及其所用仪器第27页
        2.2.3 气敏元件的制作、老化和测试第27-29页
    2.3 多孔Co_3O_4棒状材料的表征第29-31页
    2.4 多孔Co_3O_4棒状材料的气敏性能测试第31-32页
    2.5 材料设计思路第32-33页
    2.6 本章小结第33-34页
第三章 Cr掺杂Co_3O_4微球材料的制备及其气敏性能研究第34-43页
    3.1 引言第34-35页
    3.2 实验过程第35-36页
        3.2.1 Cr掺杂的Co_3O_4微球材料的制备第35-36页
        3.2.2 材料表征及其所用仪器第36页
        3.2.3 气敏元件的制作、老化和测试第36页
    3.3 Cr掺杂的Co_3O_4微球材料的表征第36-39页
    3.4 各比例Cr掺杂Co_3O_4微球材料的气敏性能测试第39-41页
    3.5 气敏机理探讨第41-42页
    3.6 本章小结第42-43页
第四章 Cr_2O_3@WO_3异质结材料的制备及其气敏性能研究第43-54页
    4.1 引言第43-44页
    4.2 实验过程第44-46页
        4.2.1 分等级WO_3花状材料和Cr_2O_3@WO_3异质结材料的制备第44-45页
        4.2.2 材料表征及其所用仪器第45页
        4.2.3 气敏元件的制作、老化和测试第45-46页
    4.3 Cr_2O_3@WO_3异质结材料的表征第46-48页
    4.4 花状WO_3和Cr_2O_3@WO_3异质结材料的气敏性能测试第48-50页
    4.5 气敏机理探讨第50-52页
    4.6 本章小结第52-54页
第五章 结论第54-55页
参考文献第55-61页
作者简介及攻读硕士期间取得的科研成果第61-62页
致谢第62页

论文共62页,点击 下载论文
上一篇:二维层状Ti3C2Tx材料的制备及其电容性能研究
下一篇:三维氮、硫掺杂石墨烯材料的制备及其在染料敏化太阳能电池中的应用研究