| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 综述 | 第10-27页 |
| 1.1 纳米科技发展历史 | 第10-11页 |
| 1.2 纳米材料的分类 | 第11页 |
| 1.3 纳米材料的性质 | 第11-13页 |
| 1.4 一维纳米材料 | 第13-22页 |
| 1.4.1 一维纳米材料的合成 | 第13-16页 |
| 1.4.2 一维纳米材料的应用 | 第16-22页 |
| 1.5 Ⅱ-Ⅵ族一维纳米结构 | 第22-24页 |
| 1.6 三元Ⅱ-Ⅵ族一维纳米结构 | 第24-25页 |
| 1.7 本论文的研究目的和内容 | 第25-27页 |
| 2 ZnS_xSe_(1-x)一维纳米线的制备与表征 | 第27-40页 |
| 2.1 引言 | 第27页 |
| 2.2 实验所用仪器和试剂 | 第27-29页 |
| 2.3 ZnS_xSe_(1-x)一维纳米结构的制备与表征 | 第29-39页 |
| 2.3.1 ZnS_xSe_(1-x)纳米线的制备 | 第29-31页 |
| 2.3.2 ZnS_xSe_(1-x)纳米线的表征 | 第31-39页 |
| 2.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 3 ZnS_xSe_(1-x)一维纳米结构的光学特性 | 第40-46页 |
| 3.1 引言 | 第40页 |
| 3.2 测试所用主要仪器 | 第40页 |
| 3.3 ZnS_xSe_(1-x)纳米线的光学特性 | 第40-45页 |
| 3.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 4 基于ZnS_xSe_(1-x)纳米线的光电探测器 | 第46-57页 |
| 4.1 引言 | 第46页 |
| 4.2 实验所用主要试剂和设备 | 第46-48页 |
| 4.3 基于ZnS_xSe_(1-x)纳米线的光电探测器的制备 | 第48-51页 |
| 4.4 基于ZnS_(0.44)Se_(0.56) 纳米线光电导型光电探测器的光电特性 | 第51-56页 |
| 4.4.1 光电探测器性能表征 | 第51-52页 |
| 4.4.2 基于ZnS_(0.44)Se_(0.56) 纳米线光电导型光电探测器 | 第52-56页 |
| 4.5 本章小结 | 第56-57页 |
| 5 总结与展望 | 第57-59页 |
| 5.1 总结 | 第57-58页 |
| 5.2 展望 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-65页 |
| 个人简历 | 第65页 |
| 硕士期间发表论文 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66页 |
