| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-14页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第10页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第10-12页 |
| 1.2.1 结型双栅多晶硅TFT的研究现状 | 第10-11页 |
| 1.2.2 无结型双栅多晶硅TFT的研究现状 | 第11-12页 |
| 1.3 主要研究内容及论文结构 | 第12-13页 |
| 1.4 本章小结 | 第13-14页 |
| 第二章 双栅多晶硅TFT的器件结构 | 第14-21页 |
| 2.1 多晶硅的电学特性 | 第14页 |
| 2.2 结型双栅多晶硅TFT的器件结构 | 第14-17页 |
| 2.2.1 结型双栅多晶硅TFT的工艺制备 | 第14-15页 |
| 2.2.2 结型多晶硅TFT的工作原理 | 第15-17页 |
| 2.3 无结型双栅多晶硅TFT的器件结构 | 第17-20页 |
| 2.3.1 无结型双栅多晶硅TFT的工艺制备 | 第17-19页 |
| 2.3.2 无结型双栅多晶硅TFT的工作原理 | 第19-20页 |
| 2.4 本章小结 | 第20-21页 |
| 第三章 结型双栅多晶硅TFT的表面势算法及其漏电流模型 | 第21-37页 |
| 3.1 表面势算法 | 第21-25页 |
| 3.2 漏电流模型 | 第25-28页 |
| 3.3 结果验证与讨论 | 第28-36页 |
| 3.3.1 表面势算法的仿真验证 | 第28-32页 |
| 3.3.2 漏电流模型的实验验证 | 第32-36页 |
| 3.4 本章小结 | 第36-37页 |
| 第四章 无结型双栅多晶硅TFT的表面势算法及其漏电流模型 | 第37-49页 |
| 4.1 表面势算法 | 第37-39页 |
| 4.2 漏电流模型 | 第39-41页 |
| 4.3 结果验证与讨论 | 第41-48页 |
| 4.3.1 表面势算法的仿真验证 | 第41-45页 |
| 4.3.2 漏电流模型的仿真及实验验证 | 第45-48页 |
| 4.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 第五章 总结与展望 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-55页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56页 |