| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第13-22页 |
| 1.1 研究背景 | 第13-17页 |
| 1.1.1 引言 | 第13页 |
| 1.1.2 红外探测器的发展 | 第13-14页 |
| 1.1.3 红外探测器的分类 | 第14-15页 |
| 1.1.3.1 光子红外探测器 | 第14-15页 |
| 1.1.3.2 热敏红外探测器 | 第15页 |
| 1.1.4 微测辐射热计 | 第15-16页 |
| 1.1.5 国内外微测辐射热计研究现状 | 第16-17页 |
| 1.2 溶胶凝胶制备VO_x的研究现状 | 第17-19页 |
| 1.2.1 Sol-Gel介绍 | 第17-18页 |
| 1.2.2 Sol-Gel制备VO_x的研究现状及发展 | 第18-19页 |
| 1.3 VO_x-CNT复合薄膜的制备和应用 | 第19-21页 |
| 1.3.1 CNT的发现及应用 | 第19-20页 |
| 1.3.2 VO_x-CNT复合材料的发展及应用 | 第20-21页 |
| 1.4 本论文的选题和研究内容 | 第21-22页 |
| 第二章 VO_x薄膜及VO_x-CNT复合薄膜的制备和表征 | 第22-27页 |
| 2.1 VO_x及复合薄膜的制备方法 | 第22-25页 |
| 2.1.1 基片处理 | 第22-23页 |
| 2.1.2 VO_x薄膜的制备方法 | 第23页 |
| 2.1.3 VO_x-CNT复合薄膜的制备方法 | 第23-25页 |
| 2.2 VO_x及复合薄膜的表征测试方法 | 第25-26页 |
| 2.2.1 扫描电子显微镜（SEM） | 第25页 |
| 2.2.2 透射电子显微镜（TEM） | 第25页 |
| 2.2.3 X射线衍射（XRD） | 第25页 |
| 2.2.4 X射线光电子能谱仪（XPS） | 第25页 |
| 2.2.5 傅里叶红外光谱仪（FTIR） | 第25-26页 |
| 2.2.6 拉曼光谱仪（Raman） | 第26页 |
| 2.2.7 紫外-可见光分光光度计（UV-Vis spectrometer） | 第26页 |
| 2.2.8 椭圆偏振仪（SE） | 第26页 |
| 2.2.9 四探针测试仪 | 第26页 |
| 2.3 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 SOL-GEL制备VO_x的特性研究 | 第27-42页 |
| 3.1 引言 | 第27页 |
| 3.2 退火温度对VO_x薄膜的影响 | 第27-35页 |
| 3.2.1 不同退火温度下VO_x薄膜的制备 | 第27-28页 |
| 3.2.2 退火温度对VO_x薄膜形貌的影响 | 第28-29页 |
| 3.2.3 退火温度对VO_x薄膜结晶的影响 | 第29-31页 |
| 3.2.4 退火温度对VO_x电学性质的影响 | 第31-33页 |
| 3.2.5 退火温度对VO_x薄膜光学性能的影响 | 第33-35页 |
| 3.3 退火时间对VO_x薄膜的影响 | 第35-41页 |
| 3.3.1 不同退火时间下VO_x薄膜的制备 | 第35-36页 |
| 3.3.2 退火时间对VO_x薄膜形貌的影响 | 第36-37页 |
| 3.3.3 退火时间对VO_x薄膜结晶的影响 | 第37-38页 |
| 3.3.4 退火时间对VO_x电学性能的影响 | 第38-39页 |
| 3.3.5 退火时间对VO_x光学性能的影响 | 第39-41页 |
| 3.4 本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 VO_x-CNT复合薄膜的制备和表征 | 第42-53页 |
| 4.1 引言 | 第42-43页 |
| 4.2 VO_x及VO_x-CNT复合薄膜制备方法 | 第43页 |
| 4.3 不同制备方法复合薄膜的形貌研究 | 第43-46页 |
| 4.4 不同制备方法复合薄膜的结晶研究 | 第46-47页 |
| 4.5 不同制备方法VO_x-CNT的FTIR谱图 | 第47-49页 |
| 4.6 不同制备方法VO_x-CNT的电学性能研究 | 第49-51页 |
| 4.7 本章小结 | 第51-53页 |
| 第五章 VO_x-SWCNT复合薄膜的性能优化 | 第53-67页 |
| 5.1 引言 | 第53-54页 |
| 5.2 VO_x和VO_x-SWCNT复合薄膜的制备 | 第54页 |
| 5.3 SWCNT浓度对薄膜形貌的影响 | 第54-56页 |
| 5.4 SWCNT浓度对薄膜结晶的影响 | 第56-57页 |
| 5.5 SWCNT浓度对薄膜化学结构的影响 | 第57-61页 |
| 5.6 SWCNT浓度对薄膜光学性质的影响 | 第61-63页 |
| 5.7 SWCNT浓度对薄膜电学性质的影响 | 第63-66页 |
| 5.8 本章小结 | 第66-67页 |
| 第六章 VO_x及VO_x-SWCNT复合薄膜的椭偏研究 | 第67-78页 |
| 6.1 引言 | 第67-68页 |
| 6.2 VO_x及VO_x-SWCNT复合薄膜的制备 | 第68页 |
| 6.3 VO_x及VO_x-SWCNT复合薄膜的形貌及结晶分析 | 第68-70页 |
| 6.4 VO_x及VO_x-SWCNT复合薄膜的椭偏模型 | 第70-72页 |
| 6.5 VO_x及VO_x-SWCNT复合薄膜的光学性质 | 第72-76页 |
| 6.6 VO_x薄膜及VO_x-SWCNT复合薄膜的椭偏振子模型讨论 | 第76-77页 |
| 6.7 本章小结 | 第77-78页 |
| 第七章 VO_x及VO_x-SWCNT复合薄膜MNR特性研究 | 第78-88页 |
| 7.1 引言 | 第78-79页 |
| 7.2 VO_x及VO_x-SWCNT复合薄膜的制备 | 第79页 |
| 7.3 VO_x及VO_x-SWCNT复合薄膜的形貌及结晶分析 | 第79-82页 |
| 7.4 不同退火温度下VO_x薄膜的MNR特性 | 第82页 |
| 7.5 不同退火温度下VO_x-SWCNT复合薄膜的MNR特性 | 第82-86页 |
| 7.6 不同SWCNT浓度的VO_x-SWCNT复合薄膜MNR特性 | 第86-87页 |
| 7.7 本章小结 | 第87-88页 |
| 第八章 总结与展望 | 第88-91页 |
| 8.1 本论文的主要结论 | 第88-89页 |
| 8.2 本论文的创新点 | 第89-90页 |
| 8.3 工作展望 | 第90-91页 |
| 致谢 | 第91-92页 |
| 参考文献 | 第92-105页 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 | 第105-107页 |
