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单晶硅磨削过程中损伤演化的MD仿真研究

摘要第2-3页
Abstract第3-4页
1 绪论第8-15页
    1.1 课题来源、研究背景及意义第8-9页
        1.1.1 课题来源第8页
        1.1.2 课题的研究背景及意义第8-9页
    1.2 单晶硅加工的国内外研究现状第9-14页
        1.2.1 单晶硅加工的实验研究第10-12页
        1.2.2 单晶硅加工的仿真研究第12-14页
    1.3 本文主要研究工作第14-15页
2 分子动力学方法的基本原理第15-26页
    2.1 引言第15-16页
    2.2 分子动力学的基本理论第16-21页
        2.2.1 分子动力学基本原理第16页
        2.2.2 系综的选择第16-17页
        2.2.3 原子间的势函数第17-19页
        2.2.4 基本运动方程的求解第19-20页
        2.2.5 边界条件和时间步长第20-21页
    2.3 分子动力学常用的分析方法第21-23页
        2.3.1 配位数分析第21-22页
        2.3.2 径向分布函数分析第22-23页
    2.4 分子动力学仿真软件和硬件平台第23-24页
        2.4.1 分子动力学仿真软件与可视化软件第23页
        2.4.2 分子动力学仿真硬件平台第23-24页
    2.5 分子动力学仿真不足第24-25页
    2.6 本章小结第25-26页
3 单晶硅单颗磨粒刻划损伤演化分析第26-42页
    3.1 引言第26页
    3.2 单晶硅单颗粒刻划MD模型建立第26-28页
    3.3 应力及温度变化分析第28-35页
        3.3.1 研究块的选取第28-29页
        3.3.2 应力变化分析第29-31页
        3.3.3 不同磨粒半径对应力的影响第31-34页
        3.3.4 温度分析第34-35页
    3.4 结构变化、相变和能量分析第35-41页
        3.4.1 结构的变化及配位数分析第35-37页
        3.4.2 相变分析第37-39页
        3.4.3 能量分析第39-41页
    3.5 本章小结第41-42页
4 多磨粒刻划仿真研究第42-50页
    4.1 引言第42页
    4.2 多磨粒模型建立第42-43页
    4.3 多磨粒对刻划过程的影响第43-46页
        4.3.1 应力及结构变化分析第43-45页
        4.3.2 温度分析第45页
        4.3.3 损伤分布第45-46页
    4.4 磨粒间距的影响第46-48页
        4.4.1 磨粒间距对应力和温度的影响分析第46-48页
        4.4.2 表面形貌分析第48页
    4.5 本章小结第48-50页
5 单晶硅多次刻划及纳米压痕实验研究第50-61页
    5.1 引言第50页
    5.2 模型建立第50-51页
    5.3 初次刻划后的表面分析第51-53页
        5.3.1 结构分析第51-52页
        5.3.2 力学性能变化分析第52-53页
    5.4 单晶硅多次刻划损伤厚度变化分析第53-55页
    5.5 纳米压痕实验第55-59页
        5.5.1 纳米压痕实验的实验原理第55页
        5.5.2 单晶硅纳米压痕实验材料和设备第55-57页
        5.5.3 单晶硅纳米压痕分析第57-59页
    5.6 本章小结第59-61页
结论第61-62页
参考文献第62-67页
攻读硕士学位期间发表学术论文情况第67-68页
致谢第68-70页

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