单晶硅磨削过程中损伤演化的MD仿真研究
摘要 | 第2-3页 |
Abstract | 第3-4页 |
1 绪论 | 第8-15页 |
1.1 课题来源、研究背景及意义 | 第8-9页 |
1.1.1 课题来源 | 第8页 |
1.1.2 课题的研究背景及意义 | 第8-9页 |
1.2 单晶硅加工的国内外研究现状 | 第9-14页 |
1.2.1 单晶硅加工的实验研究 | 第10-12页 |
1.2.2 单晶硅加工的仿真研究 | 第12-14页 |
1.3 本文主要研究工作 | 第14-15页 |
2 分子动力学方法的基本原理 | 第15-26页 |
2.1 引言 | 第15-16页 |
2.2 分子动力学的基本理论 | 第16-21页 |
2.2.1 分子动力学基本原理 | 第16页 |
2.2.2 系综的选择 | 第16-17页 |
2.2.3 原子间的势函数 | 第17-19页 |
2.2.4 基本运动方程的求解 | 第19-20页 |
2.2.5 边界条件和时间步长 | 第20-21页 |
2.3 分子动力学常用的分析方法 | 第21-23页 |
2.3.1 配位数分析 | 第21-22页 |
2.3.2 径向分布函数分析 | 第22-23页 |
2.4 分子动力学仿真软件和硬件平台 | 第23-24页 |
2.4.1 分子动力学仿真软件与可视化软件 | 第23页 |
2.4.2 分子动力学仿真硬件平台 | 第23-24页 |
2.5 分子动力学仿真不足 | 第24-25页 |
2.6 本章小结 | 第25-26页 |
3 单晶硅单颗磨粒刻划损伤演化分析 | 第26-42页 |
3.1 引言 | 第26页 |
3.2 单晶硅单颗粒刻划MD模型建立 | 第26-28页 |
3.3 应力及温度变化分析 | 第28-35页 |
3.3.1 研究块的选取 | 第28-29页 |
3.3.2 应力变化分析 | 第29-31页 |
3.3.3 不同磨粒半径对应力的影响 | 第31-34页 |
3.3.4 温度分析 | 第34-35页 |
3.4 结构变化、相变和能量分析 | 第35-41页 |
3.4.1 结构的变化及配位数分析 | 第35-37页 |
3.4.2 相变分析 | 第37-39页 |
3.4.3 能量分析 | 第39-41页 |
3.5 本章小结 | 第41-42页 |
4 多磨粒刻划仿真研究 | 第42-50页 |
4.1 引言 | 第42页 |
4.2 多磨粒模型建立 | 第42-43页 |
4.3 多磨粒对刻划过程的影响 | 第43-46页 |
4.3.1 应力及结构变化分析 | 第43-45页 |
4.3.2 温度分析 | 第45页 |
4.3.3 损伤分布 | 第45-46页 |
4.4 磨粒间距的影响 | 第46-48页 |
4.4.1 磨粒间距对应力和温度的影响分析 | 第46-48页 |
4.4.2 表面形貌分析 | 第48页 |
4.5 本章小结 | 第48-50页 |
5 单晶硅多次刻划及纳米压痕实验研究 | 第50-61页 |
5.1 引言 | 第50页 |
5.2 模型建立 | 第50-51页 |
5.3 初次刻划后的表面分析 | 第51-53页 |
5.3.1 结构分析 | 第51-52页 |
5.3.2 力学性能变化分析 | 第52-53页 |
5.4 单晶硅多次刻划损伤厚度变化分析 | 第53-55页 |
5.5 纳米压痕实验 | 第55-59页 |
5.5.1 纳米压痕实验的实验原理 | 第55页 |
5.5.2 单晶硅纳米压痕实验材料和设备 | 第55-57页 |
5.5.3 单晶硅纳米压痕分析 | 第57-59页 |
5.6 本章小结 | 第59-61页 |
结论 | 第61-62页 |
参考文献 | 第62-67页 |
攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第67-68页 |
致谢 | 第68-70页 |