APCVD制备大面积石墨烯薄膜的研究
| 摘要 | 第3-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第13-37页 |
| 1.1 引言 | 第13-15页 |
| 1.2 石墨烯的结构和性质 | 第15-21页 |
| 1.2.1 石墨烯的结构 | 第15-16页 |
| 1.2.2 石墨烯的电学性质 | 第16-17页 |
| 1.2.3 石墨烯的光学性质 | 第17-18页 |
| 1.2.4 石墨烯的热学性质 | 第18-20页 |
| 1.2.5 石墨烯的力学性质 | 第20-21页 |
| 1.3 石墨烯分类及制备方法 | 第21-25页 |
| 1.3.1 石墨烯薄膜 | 第22-23页 |
| 1.3.2 石墨烯粉体 | 第23-24页 |
| 1.3.3 三维石墨烯 | 第24-25页 |
| 1.4 石墨烯薄膜的化学气相沉积法（CVD）制备 | 第25-32页 |
| 1.4.1 CVD石墨烯的一般过程 | 第25-26页 |
| 1.4.2 石墨烯生长机理的一般理解 | 第26-27页 |
| 1.4.3 固态碳源CVD石墨烯 | 第27-29页 |
| 1.4.4 液态碳源CVD石墨烯 | 第29-31页 |
| 1.4.5 石墨烯生长动力学 | 第31-32页 |
| 1.5 石墨烯的应用 | 第32-35页 |
| 1.5.1 石墨烯应用于电子器件 | 第33页 |
| 1.5.2 石墨烯应用于光学器件 | 第33-34页 |
| 1.5.3 石墨烯应用于传感器 | 第34-35页 |
| 1.6 研究的意义和主要内容 | 第35-37页 |
| 第二章 实验过程及表征测试方法 | 第37-49页 |
| 2.0 引言 | 第37页 |
| 2.1 APCVD实验装置 | 第37-38页 |
| 2.2 实验仪器及材料 | 第38-40页 |
| 2.2.1 实验所用的仪器 | 第38-39页 |
| 2.2.2 实验所用材料 | 第39-40页 |
| 2.3 实验方法 | 第40-43页 |
| 2.3.1 以铜箔为基体制备石墨烯薄膜 | 第40-41页 |
| 2.3.2 以镁箔为基体制备无定形石墨烯 | 第41-42页 |
| 2.3.3 石墨烯转移的一般过程 | 第42-43页 |
| 2.4 分析和测试方法 | 第43-49页 |
| 2.4.1 光学显微镜 | 第43-44页 |
| 2.4.2 拉曼光谱 | 第44-46页 |
| 2.4.3 原子力显微镜 | 第46-47页 |
| 2.4.4 透射电子显微镜 | 第47页 |
| 2.4.5 分光光度计 | 第47页 |
| 2.4.6 四探针电阻率测试仪 | 第47-49页 |
| 第三章 低温APCVD铜箔表面制备石墨烯薄膜 | 第49-63页 |
| 3.1 引言 | 第49页 |
| 3.2 铜箔的预处理 | 第49-52页 |
| 3.3 制备参数对石墨烯薄膜质量的影响 | 第52-61页 |
| 3.3.1 高温下试制石墨烯 | 第52-55页 |
| 3.3.2 低温下制备高质量的石墨烯 | 第55-58页 |
| 3.3.3 氢气浓度对石墨烯的影响 | 第58-60页 |
| 3.3.4 低温下制备石墨烯的机理 | 第60-61页 |
| 3.4 本章小结 | 第61-63页 |
| 第四章 低温APCVD镁箔表面制备无定形石墨烯 | 第63-73页 |
| 4.1 引言 | 第63-64页 |
| 4.2 镁箔的预处理 | 第64-67页 |
| 4.3 镁箔表面制备无定形石墨烯 | 第67-71页 |
| 4.3.1 试探性制备石墨烯 | 第67-69页 |
| 4.3.2 温度对样品的影响 | 第69-71页 |
| 4.4 本章小结 | 第71-73页 |
| 第五章 结论与展望 | 第73-75页 |
| 5.1 结论 | 第73-74页 |
| 5.2 展望 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-87页 |
| 致谢 | 第87-89页 |
| 攻读硕士期间发表的论文及研究成果 | 第89页 |
