| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| §1.1 引言 | 第10页 |
| §1.2 Ⅲ族氮化物材料研究概述 | 第10-12页 |
| §1.3 垂直微腔结构研究概述 | 第12-13页 |
| §1.4 分布式布拉格反射镜研究概述 | 第13-15页 |
| §1.4.1 Ⅲ族氮化物分布式布拉格反射镜的研究概述 | 第14-15页 |
| §1.4.2 SiO_2/Si_3N_4分布式布拉格反射镜的研究概述 | 第15页 |
| §1.5 基于分布式布拉格反射镜的带通滤波器的设计目标 | 第15页 |
| §1.6 论文主要内容与结构 | 第15-17页 |
| 第二章 分布式布拉格反射镜的基本原理和基于分布式布拉格反射镜的带通滤波器的基础理论 | 第17-22页 |
| §2.1 分布式布拉格反射镜的基本原理 | 第17-20页 |
| §2.2 基于分布式布拉格反射镜的带通滤波器 | 第20-21页 |
| §2.3 本章小结 | 第21-22页 |
| 第三章 SiO_2/Si_3N_4 DBR的PECVD生长工艺,参数选择和性能分析 | 第22-33页 |
| §3.1 引言 | 第22页 |
| §3.2 PECVD简介 | 第22-24页 |
| §3.3 PECVD制备SiO_2/Si_3N_4材料的基本机理 | 第24-26页 |
| §3.3.1 PECVD制备SiO_2材料的基本机理 | 第24页 |
| §3.3.2 PECVD制备Si_3N_4材料的基本机理 | 第24-26页 |
| §3.4 SiO_2、Si_3N_4材料的具体制备 | 第26-29页 |
| §3.5 SiO_2/Si_3N_4基DBR的具体制备 | 第29-31页 |
| §3.5.1 SiO_2/Si_3N_4基DBR的设计 | 第29-30页 |
| §3.5.2 SiO_2/Si_3N_4基DBR的制备 | 第30-31页 |
| §3.6 本章小结 | 第31-33页 |
| 第四章 基于SiO_2/Si_3N_4分布式布拉格反射镜带通滤波器的设计、制备和研究 | 第33-42页 |
| §4.1 引言 | 第33页 |
| §4.2 基于SiO_2/Si_3N_4基DBR的带通滤波器设计 | 第33-35页 |
| §4.3 基于SiO_2/Si_3N_4DBR的带通滤波器制备 | 第35页 |
| §4.4 基于SiO_2/Si_3N_4DBR的带通滤波器的光学反射谱分析 | 第35-39页 |
| §4.4.1 样品光学反射谱的实测与分析 | 第35-38页 |
| §4.4.2 样品反射谱存在干涉现象的原因分析 | 第38-39页 |
| §4.5 样品的表面形貌分析 | 第39-40页 |
| §4.6 样品的截面形貌分析 | 第40-41页 |
| §4.7 本章小结 | 第41-42页 |
| 第五章 带通滤波器性能的影响因素与制备改进 | 第42-51页 |
| §5.1 引言 | 第42页 |
| §5.2 X射线小角掠入射反射(XRR)分析 | 第42-44页 |
| §5.3 SiO_2/Si_3N_4介质膜质量分析与工艺条件选择 | 第44-45页 |
| §5.4 介质膜过渡层和XPS分析 | 第45-49页 |
| §5.5 带通滤波器设计参数、结构的改进 | 第49-50页 |
| §5.6 本章小结 | 第50-51页 |
| 第六章 结论 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-57页 |
| 研究生阶段发表论文、专利和参加会议 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
