| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-25页 |
| 1.1 引言 | 第9-16页 |
| 1.1.1 自旋电子学 | 第9-11页 |
| 1.1.2 稀磁半导体的发展历程 | 第11-12页 |
| 1.1.3 稀磁半导体的磁性来源 | 第12-16页 |
| 1.2 SiC基稀磁半导体 | 第16-24页 |
| 1.2.1 SiC的晶体结构 | 第16页 |
| 1.2.2 SiC基稀磁半导体的研究现状 | 第16-23页 |
| 1.2.3 SiC基稀磁半导体存在的问题 | 第23-24页 |
| 1.3 本论文的研究目的和研究内容 | 第24-25页 |
| 第二章 SiC/Cu多层膜的制备和表征测试 | 第25-33页 |
| 2.1 引言 | 第25页 |
| 2.2 SiC/Cu多层膜的制备 | 第25-27页 |
| 2.2.1 薄膜制备的材料 | 第25-26页 |
| 2.2.2 设备及基底Si片的清洗步骤 | 第26页 |
| 2.2.3 磁控溅射制备样品 | 第26-27页 |
| 2.2.4 薄膜的退火装置 | 第27页 |
| 2.3 薄膜的表征测试方法 | 第27-32页 |
| 2.3.1 X射线衍射（XRD） | 第27-28页 |
| 2.3.3 X射线光电子能谱（XPS） | 第28-29页 |
| 2.3.4 X射线吸收精细结构（XAFS） | 第29-30页 |
| 2.3.5 光学性质的测量 | 第30页 |
| 2.3.6 电输运性质的测量(PPMS) | 第30-31页 |
| 2.3.7 磁性的测量（SQUID） | 第31-32页 |
| 2.4 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 Cu层厚度对SiC/Cu多层膜的结构、性能的影响 | 第33-47页 |
| 3.1 引言 | 第33页 |
| 3.2 实验结果与讨论 | 第33-46页 |
| 3.2.1 多层膜的结构和成分 | 第33-37页 |
| 3.2.2 [SiC_(6?)Cu_x]60 (x=3, 6, 12?)多层膜的发光与结构的关系 | 第37-38页 |
| 3.2.3 [SiC_(6?)Cu_x]60 (x=3, 6, 12?)多层膜的输运性质 | 第38-40页 |
| 3.2.4 [SiC_(6?)Cu_x]60 (x=3, 6, 12?)多层膜的磁性 | 第40-46页 |
| 3.3 本章小结 | 第46-47页 |
| 第四章 退火温度对SiC/Cu多层膜的结构、性能的影响 | 第47-60页 |
| 4.1 前言 | 第47页 |
| 4.2 实验结果与讨论 | 第47-58页 |
| 4.2.1 退火样品的结构和成分 | 第47-51页 |
| 4.2.2 不同退火温度下多层膜[SiC6?Cu6?]60的发光与结构的关系 | 第51-52页 |
| 4.2.3 退火样品的输运性质 | 第52-54页 |
| 4.2.4 退火样品的磁性 | 第54-58页 |
| 4.3 本章小结 | 第58-60页 |
| 第五章 结论 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-67页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68页 |
