| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-29页 |
| 1.1 石墨烯材料概述 | 第11-23页 |
| 1.1.1 石墨烯材料结构 | 第11-13页 |
| 1.1.2 石墨烯材料性质 | 第13-16页 |
| 1.1.3 石墨烯材料制备方法 | 第16-19页 |
| 1.1.4 石墨烯材料的应用 | 第19-22页 |
| 1.1.5 类石墨烯二维材料 | 第22-23页 |
| 1.2 宽禁带半导体概述 | 第23-26页 |
| 1.2.1 β-Ga_2O_3材料概述 | 第23-25页 |
| 1.2.2 二维材料/半导体异质结 | 第25-26页 |
| 1.3 二维材料器件物理基础 | 第26-29页 |
| 1.3.1 光电效应 | 第26-27页 |
| 1.3.2 光电探测器 | 第27-28页 |
| 1.3.3 太阳能电池 | 第28-29页 |
| 第二章 实验原理与方法 | 第29-34页 |
| 2.1 β-Ga_2O_3的制备 | 第29页 |
| 2.2 石墨烯转移技术 | 第29-31页 |
| 2.2.1 铜基生长石墨烯原理 | 第30页 |
| 2.2.2 单层石墨烯转移技术 | 第30-31页 |
| 2.2.3 双层石墨烯转移技术 | 第31页 |
| 2.3 材料表征方法 | 第31-34页 |
| 2.3.1 光学显微镜 | 第31页 |
| 2.3.2 拉曼光谱 | 第31-32页 |
| 2.3.3 X射线衍射 | 第32页 |
| 2.3.4 扫描电子显微镜 | 第32-34页 |
| 第三章 β-Ga_2O_3/4H-SiC紫外光电探测器与石墨烯电极 | 第34-43页 |
| 3.1 样品制备与实验方法 | 第34-36页 |
| 3.1.1 β-Ga_2O_3/4H-SiC制备 | 第35页 |
| 3.1.2 石墨烯电极器件制备 | 第35-36页 |
| 3.1.3 Au/Ti电极器件制备 | 第36页 |
| 3.2 样品形貌表征 | 第36-38页 |
| 3.2.1 石墨烯薄膜形貌表征 | 第36-37页 |
| 3.2.2 β-Ga_2O_3薄膜形貌表征 | 第37-38页 |
| 3.3 实验结果分析 | 第38-42页 |
| 3.3.1 β-Ga_2O_3/4H-SiC能带图 | 第38页 |
| 3.3.2 光电响应特性分析 | 第38-42页 |
| 3.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 石墨烯基光电器件扩展研究 | 第43-55页 |
| 4.1 单/双层石墨烯紫外光电探测器 | 第43-46页 |
| 4.1.1 SiO_2绝缘层制备 | 第43-44页 |
| 4.1.2 单/双层石墨烯器件紫外光电响应特性 | 第44-46页 |
| 4.2 石墨烯基太阳能电池 | 第46-49页 |
| 4.2.1 石墨烯/GaAs太阳能电池 | 第47-49页 |
| 4.2.2 石墨烯/6H-SiC太阳能电池 | 第49页 |
| 4.3 石墨烯/Au溶胶/GaAs光电探测器 | 第49-50页 |
| 4.4 类石墨烯二维材料MoS_2的制备 | 第50-53页 |
| 4.4.1 MoS_2常用制备方法 | 第51页 |
| 4.4.2 MoS_2薄膜L-MBE生长 | 第51-52页 |
| 4.4.3 MoS-2基光电器件制备探索 | 第52-53页 |
| 4.5 本章小结 | 第53-55页 |
| 第五章 总结及展望 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-65页 |
| 附录 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 作者攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第67页 |