摘要 | 第5-7页 |
Abstract | 第7-8页 |
第一章 绪论 | 第12-25页 |
1.1 氢能的发展现状 | 第12-14页 |
1.1.1 氢能的简介 | 第12-13页 |
1.1.2 氢气的制备及储存 | 第13-14页 |
1.2 储氢铝材料的研究 | 第14-16页 |
1.2.1 金属铝的特点 | 第14-15页 |
1.2.2 铝表面氧化层的破坏方法 | 第15-16页 |
1.3 铝镓合金的研究现状 | 第16-18页 |
1.3.1 金属镓的特点 | 第16-17页 |
1.3.2 铝镓合金水解反应的研究现状 | 第17页 |
1.3.3 铝镓合金的制备方法 | 第17-18页 |
1.4 气体传感器 | 第18-21页 |
1.4.1 气体传感器分类 | 第18-19页 |
1.4.2 半导体气体传感器 | 第19-20页 |
1.4.3 半导体气体传感器气敏机理的研究 | 第20-21页 |
1.5 半导体气体敏感材料 | 第21-24页 |
1.5.1 金属复合氧化物气敏材料 | 第21-22页 |
1.5.2 气敏材料的制备方法 | 第22-24页 |
1.6 本课题研究意义及内容 | 第24-25页 |
1.6.1 研究意义 | 第24页 |
1.6.2 研究内容 | 第24-25页 |
第二章 低温熔盐中Al3+在钨钼电极上的阴极电化学行为 | 第25-35页 |
2.1 前言 | 第25页 |
2.2 实验 | 第25-28页 |
2.2.1 实验试剂与材料 | 第25-26页 |
2.2.2 实验主要仪器 | 第26页 |
2.2.3 实验过程 | 第26-28页 |
2.3 结果与讨论 | 第28-34页 |
2.3.1 循环伏安曲线 | 第28-31页 |
2.3.2 计时电位曲线 | 第31-32页 |
2.3.3 恒电位电解及电解产物表征 | 第32-34页 |
2.4 结论 | 第34-35页 |
第三章 熔盐电解法制备产氢铝镓合金 | 第35-43页 |
3.1 前言 | 第35-36页 |
3.2 实验 | 第36-37页 |
3.2.1 实验试剂及材料 | 第36页 |
3.2.2 实验主要仪器 | 第36页 |
3.2.3 实验过程 | 第36-37页 |
3.3 结果与讨论 | 第37-42页 |
3.3.1 循环伏安曲线 | 第37-38页 |
3.3.2 熔盐电解实验 | 第38-41页 |
3.3.3 铝镓合金产氢实验 | 第41-42页 |
3.4 结论 | 第42-43页 |
第四章 共沉淀法制备CuGa_2O_4及其气敏性能研究 | 第43-62页 |
4.1 前言 | 第43-44页 |
4.2 实验 | 第44-46页 |
4.2.1 实验试剂 | 第44页 |
4.2.2 材料表征仪器 | 第44页 |
4.2.3 CuGa_2O_4的制备 | 第44-45页 |
4.2.4 气敏元件的制作 | 第45-46页 |
4.3 结果与讨论 | 第46-61页 |
4.3.1 以氢氧化钠为沉淀剂的CuGa_2O_4的材料表征 | 第46-51页 |
4.3.2 以氢氧化钠为沉淀剂的CuGa_2O_4的气敏性能分析 | 第51-54页 |
4.3.3 以氨水为沉淀剂的CuGa_2O_4的材料表征 | 第54-59页 |
4.3.4 以氨水为沉淀剂的CuGa_2O_4的气敏性能分析 | 第59-61页 |
4.4 结论 | 第61-62页 |
第五章 溶胶凝胶法制备CuGa_2O_4及其气敏性能研究 | 第62-70页 |
5.1 前言 | 第62页 |
5.2 实验 | 第62-64页 |
5.2.1 实验试剂 | 第62-63页 |
5.2.2 材料表征仪器 | 第63页 |
5.2.3 CuGa_2O_4的制备 | 第63页 |
5.2.4 气敏元件的制作 | 第63-64页 |
5.3 结果与讨论 | 第64-69页 |
5.3.1 CuGa_2O_4的材料表征 | 第64-67页 |
5.3.2 CuGa_2O_4的气敏性能分析 | 第67-69页 |
5.4 结论 | 第69-70页 |
全文总结 | 第70-72页 |
参考文献 | 第72-82页 |
在校研究成果 | 第82-83页 |
致谢 | 第83页 |