绝缘栅双极型晶体管的失效分析和可靠性评估方法研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-14页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第9-10页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第10-13页 |
| 1.3 论文的主要工作 | 第13-14页 |
| 第2章 IGBT基本理论 | 第14-26页 |
| 2.1 IGBT工作原理 | 第14-17页 |
| 2.2 IGBT工作特性 | 第17-21页 |
| 2.2.1 静态特性 | 第17-19页 |
| 2.2.2 动态特性 | 第19-20页 |
| 2.2.3 高温特性 | 第20-21页 |
| 2.3 IGBT模块封装 | 第21-25页 |
| 2.3.1 焊接式IGBT封装 | 第21-23页 |
| 2.3.2 压接式IGBT封装 | 第23-25页 |
| 2.4 本章小结 | 第25-26页 |
| 第3章 IGBT的失效分析 | 第26-32页 |
| 3.1 失效因素 | 第27-29页 |
| 3.1.1 内部固有缺陷因素 | 第27页 |
| 3.1.2 各类应力因素 | 第27-29页 |
| 3.1.3 电路结构因素 | 第29页 |
| 3.2 失效模式 | 第29-31页 |
| 3.2.1 热应力失效 | 第29-30页 |
| 3.2.2 过电应力失效 | 第30页 |
| 3.2.3 漏电流失效 | 第30-31页 |
| 3.2.4 材料固有缺陷引起失效 | 第31页 |
| 3.3 本章小结 | 第31-32页 |
| 第4章 IGBT可靠性评估方法研究 | 第32-40页 |
| 4.1 概述 | 第32-33页 |
| 4.2 外特性可靠性评估 | 第33-36页 |
| 4.3 状态监测瞬态模型与评估 | 第36-37页 |
| 4.4 状态监测稳态模型与评估 | 第37-39页 |
| 4.5 本章小结 | 第39-40页 |
| 第5章 结论与展望 | 第40-42页 |
| 参考文献 | 第42-44页 |
| 致谢 | 第44-45页 |
| 作者简介 | 第45页 |
