| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 二维纳米材料介绍 | 第10-12页 |
| 1.2 二维范德瓦尔斯异质结材料介绍 | 第12-14页 |
| 1.3 本文研究材料 | 第14-16页 |
| 1.4 本文的主要研究内容 | 第16-19页 |
| 第二章 理论基础 | 第19-33页 |
| 2.1 密度泛函理论 | 第19-26页 |
| 2.1.1 绝热近似和哈特里-福克(Hartree-Fock)近似理论 | 第19-22页 |
| 2.1.2 Hohenberg-kohn定理 | 第22-23页 |
| 2.1.3 Kohn-Sham方程 | 第23-24页 |
| 2.1.4 交换关联泛函理论 | 第24-26页 |
| 2.1.4.1 局域密度近似(LDA) | 第24-25页 |
| 2.1.4.2 广义密度近似(GGA) | 第25-26页 |
| 2.2 密度泛函理论的计算方法 | 第26-28页 |
| 2.2.1 PAW赝势方法 | 第26-27页 |
| 2.2.2 DFT+U方法 | 第27-28页 |
| 2.3 肖特基接触和欧姆接触 | 第28-31页 |
| 2.4 计算软件VASP的简单介绍 | 第31-33页 |
| 第三章 砷烯-石墨烯范德瓦尔斯异质结电子结构调制的研究 | 第33-43页 |
| 3.1 引言 | 第33页 |
| 3.2 结构模型和计算方法 | 第33-34页 |
| 3.3 结果分析和讨论 | 第34-40页 |
| 3.3.1 砷烯和石墨烯异质结的几何结构和晶格参数 | 第34-35页 |
| 3.3.2 砷烯和石墨烯异质结的稳定性和电子结构 | 第35-38页 |
| 3.3.3 砷烯和石墨异质结中石墨烯和砷烯的电荷转移 | 第38-40页 |
| 3.4 电场对三层对称砷烯和石墨烯范德瓦尔斯异质结电子结构的调制 | 第40-42页 |
| 3.5 本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 石墨烯和二硫化锡范德瓦尔斯异质结电子结构调制的研究 | 第43-51页 |
| 4.1 引言 | 第43页 |
| 4.2 结构模型和计算参数 | 第43-44页 |
| 4.3 计算结果与分析讨论 | 第44-48页 |
| 4.3.1 石墨烯和SnS_2单层的晶格常数和电子结构 | 第44页 |
| 4.3.2 石墨烯和SnS_2范德瓦尔斯异质结的稳定性和电子结构 | 第44-48页 |
| 4.3.3 电场对石墨烯和SnS_2范德瓦尔斯异质结电子结构的调制 | 第48页 |
| 4.4 本章小结 | 第48-51页 |
| 第五章 总结及展望 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-59页 |
| 致谢 | 第59-61页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第61-62页 |
