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锗烯电子结构的界面效应研究

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
第1章 绪论第9-19页
    1.1 二维材料的分类第9-11页
    1.2 二维材料的性质第11-14页
    1.3 锗烯的研究现状第14-17页
    1.4 本文的研究目的与意义第17-19页
第2章 基础理论与计算方法第19-24页
    2.1 密度泛函理论简介第19-23页
        2.1.1 Born-Oppenheimer绝热近似第19-20页
        2.1.2 Hohenberg-Kohn理论第20-21页
        2.1.3 Kohn-Sham方程第21-22页
        2.1.4 交换关联函数第22-23页
    2.2 第一性原理计算软件简介第23-24页
第3章 金属衬底上的锗烯结构及其性质研究第24-31页
    3.1 引言第24页
    3.2 计算方法与模型第24-26页
    3.3 计算结果与讨论第26-29页
        3.3.1 结构分析第26-27页
        3.3.2 形成能分析第27页
        3.3.3 STM模拟第27-28页
        3.3.4 电子结构分析第28-29页
    3.4 小结第29-31页
第4章 锗烯的制备及其电子性质的研究第31-38页
    4.1 引言第31页
    4.2 计算方法与模型第31-32页
    4.3 计算结果与讨论第32-37页
        4.3.1 势垒对锗烷脱氢的影响第32-35页
        4.3.2 锗烷脱氢的电子结构分析第35-36页
        4.3.3 层间距对费米速度的影响第36-37页
    4.4 小结第37-38页
第5章 总结与展望第38-40页
    5.1 工作总结第38页
    5.2 工作展望第38-40页
参考文献第40-50页
致谢第50-51页
个人简历、攻读硕士学位期间发表的学术论文和研究成果第51-52页

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