摘要 | 第12-16页 |
ABSTRACT | 第16-20页 |
第一章 绪论 | 第21-51页 |
1.1 引言 | 第21-22页 |
1.2 过渡金属硫属化合物介绍 | 第22-29页 |
1.2.1 过渡金属硫属化合物简介 | 第22页 |
1.2.2 过渡金属硫属于化合物晶体结构 | 第22-24页 |
1.2.3 过渡金属硫属化合物电子结构 | 第24-29页 |
1.3 过渡金属硫属化合物的制备方法 | 第29-34页 |
1.3.1 类石墨烯过渡金属硫属化合物的制备 | 第29-32页 |
1.3.2 体块过渡金属硫属化合物的制备 | 第32-34页 |
1.4 过渡金属硫属化合物在电子器件上的应用 | 第34-37页 |
1.4.1 场效应晶体管 | 第34-35页 |
1.4.2 光电探测 | 第35-37页 |
1.5 MoTe_2和WTe_2磁阻效应和第二类外尔半金属性 | 第37-38页 |
1.5.1 MoTe_2和WTe_2磁阻效应 | 第37页 |
1.5.2 MoTe_2和WTe_2第二类外尔半金属性 | 第37-38页 |
1.6 饱和吸收体被动调Q | 第38-40页 |
1.6.1 饱和吸收体被动调Q原理 | 第38-39页 |
1.6.2 MoS_2在饱和吸收体被动调Q方面的应用 | 第39-40页 |
1.7 太赫兹时域光谱和TMDCs | 第40-41页 |
1.7.1 太赫兹时域光谱简介 | 第40-41页 |
1.7.2 二维材料在太赫兹波段的研究 | 第41页 |
1.8 助熔剂法 | 第41-42页 |
1.9 本课题选题意义和研究内容 | 第42-43页 |
参考文献 | 第43-51页 |
第二章 MoS_2单晶生长及表征 | 第51-66页 |
2.1 引言 | 第51页 |
2.2 MoS_2晶体生长 | 第51-57页 |
2.2.1 助熔剂的选择 | 第51-52页 |
2.2.2 助熔剂法生长MoS_2 | 第52-57页 |
2.3 MoS_2结构表征 | 第57-58页 |
2.3.1 X射线粉末衍射 | 第57页 |
2.3.2 偏振拉曼振动分析 | 第57-58页 |
2.4 MoS_2单晶质量表征 | 第58-59页 |
2.5 MoS_2晶体生长形态与生长机制 | 第59-63页 |
2.5.1 生长形态 | 第59-61页 |
2.5.2 生长机制 | 第61-63页 |
2.6 本章小结 | 第63页 |
参考文献 | 第63-66页 |
第三章 MoS_2的光学性质 | 第66-74页 |
3.1 引言 | 第66页 |
3.2 MoS_2纳米薄膜 | 第66-69页 |
3.2.1 MoS_2纳米薄膜制备 | 第66-67页 |
3.2.2 MoS_2纳米薄膜表征 | 第67-69页 |
3.3 MOS_2调Q激光特性 | 第69-72页 |
3.3.1 半导体饱和吸收机理 | 第70-71页 |
3.3.2 MoS_2调Q激光实验硏究 | 第71-72页 |
3.4 本章小结 | 第72页 |
参考文献 | 第72-74页 |
第四章 MoS_2的能带调控 | 第74-98页 |
4.1 引言 | 第74-75页 |
4.2 角分辨光电子能谱简介 | 第75-80页 |
4.3 MoS_2的缺陷引入 | 第80-87页 |
4.4 理论计算研究缺陷对MoS_2能带结构影响 | 第87-90页 |
4.5 角分辨光电子能谱研究缺陷对二硫化钼能带结构影响 | 第90-94页 |
4.6 本章小结 | 第94-95页 |
参考文献 | 第95-98页 |
第五章 MoSe_2和MoTe_2的晶体生长 | 第98-110页 |
5.1 引言 | 第98页 |
5.2 MoSe_2晶体生长 | 第98-102页 |
5.2.1 MoSe_2晶体简介 | 第98页 |
5.2.2 MoSe_2晶体生长 | 第98-102页 |
5.3 MoTe_2晶体生长 | 第102-104页 |
5.3.1 MoTe_2简介 | 第102-103页 |
5.3.2 MoTe_2晶体生长 | 第103-104页 |
5.4 MoTe_2结构表征 | 第104-107页 |
5.5 晶体生长总结 | 第107-108页 |
参考文献 | 第108-110页 |
第六章 MoTe_2的相变、磁阻效应和THz光谱性质 | 第110-129页 |
6.1 引言 | 第110页 |
6.2 MoTe_2的相变 | 第110-115页 |
6.3 MoTe_2的磁阻效应 | 第115-120页 |
6.4 MoTe_2的THz时域光谱 | 第120-125页 |
6.4.1 背景介绍 | 第120页 |
6.4.2 实验过程及讨论 | 第120-125页 |
6.4.3 结论 | 第125页 |
6.5 本章小结 | 第125-126页 |
参考文献 | 第126-129页 |
第七章 总结和展望 | 第129-134页 |
7.1 主要结论 | 第129-132页 |
7.2 主要创新点 | 第132页 |
7.3 有待深入研究的内容 | 第132-134页 |
攻读学位期间发表的学术论文、专利和参加会议情况 | 第134-136页 |
攻读学位期间所获的奖励 | 第136-137页 |
致谢 | 第137-140页 |
附件 | 第140-147页 |
学位论文评阅及答辩情况表 | 第147页 |