| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 1 绪论 | 第9-18页 |
| ·半导体Ge(锗)与磁性材料简介 | 第9-10页 |
| ·半导体锗特性介绍 | 第9页 |
| ·磁性物质的形成分类 | 第9-10页 |
| ·稀磁半导体 | 第10-13页 |
| ·自旋电子学概述 | 第11页 |
| ·稀磁半导体的性质与研究现状 | 第11-13页 |
| ·稀磁Ge半导体研究现状与研究意义 | 第13-16页 |
| ·稀磁Ge半导体的研究现状 | 第13-14页 |
| ·稀磁Ge半导体的研究意义 | 第14-16页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第16-18页 |
| 2 样品制备技术与表征方法 | 第18-28页 |
| ·制备仪器介绍 | 第18-21页 |
| ·等离子增强化学气相沉积(PECVD) | 第18-20页 |
| ·磁控溅射设备(Magnetron Sputtering) | 第20-21页 |
| ·样品制备的实验方法 | 第21-25页 |
| ·扩散法制备Ge_(1-x)Mn_x薄膜 | 第21-23页 |
| ·共溅射法制备Ge_(1-x)Mn_x薄膜 | 第23-25页 |
| ·样品的表征 | 第25-26页 |
| ·X射线衍射(XDR)与拉曼谱 | 第25-26页 |
| ·扫描电镜与原子力显微镜 | 第26页 |
| ·本章小结 | 第26-28页 |
| 3 扩散法制备Ge_(1-x)Mn_x与其特性研究 | 第28-35页 |
| ·引言 | 第28页 |
| ·薄膜的结构与形貌研究 | 第28-31页 |
| ·XRD测试 | 第28-29页 |
| ·形貌研究 | 第29-31页 |
| ·样品的电学与磁学特性 | 第31-33页 |
| ·电学特性 | 第31-32页 |
| ·磁学特性 | 第32-33页 |
| ·小结 | 第33-35页 |
| 4 共溅射法制备Ge_(1-x)Mn_x及其特性研究 | 第35-43页 |
| ·薄膜的结构与形貌研究 | 第35-39页 |
| ·EMAX能谱测试 | 第35-36页 |
| ·Ge_(1-x)Mn_x典型样品退火后拉曼特性研究 | 第36-37页 |
| ·Ge_(1-x)Mn_x典型样品退火后AFM测试 | 第37-39页 |
| ·薄膜的磁学与电学特性研究 | 第39-42页 |
| ·小结 | 第42-43页 |
| 5 总结与展望 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-47页 |
| 攻读学位期间取得的研究成果 | 第47-48页 |
| 致谢 | 第48-49页 |
| 浙江师范大学学位论文诚信承诺书 | 第49-50页 |
