摘要 | 第4-6页 |
ABSTRACT | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第10-19页 |
1.1 引言 | 第10页 |
1.2 研究进展及现状 | 第10-13页 |
1.2.1 概论 | 第10-12页 |
1.2.2 研究现状 | 第12-13页 |
1.3 晶体生长方法简介 | 第13-16页 |
1.4 分子模拟技术简介 | 第16-17页 |
1.4.1 第一性原理方法 | 第17页 |
1.5 选题的研究意义与目的 | 第17-19页 |
第二章 实验方法及表征手段 | 第19-27页 |
2.1 光学浮区法及其实验设备 | 第19-21页 |
2.1.1 光学浮区法简介 | 第19页 |
2.1.2 光学浮区法实验设备 | 第19-21页 |
2.2 实验准备工艺流程 | 第21-23页 |
2.2.1 料棒的制备 | 第21-23页 |
2.3 光学浮区法晶体生长原理及工艺流程 | 第23-24页 |
2.3.1 光学浮区法晶体生长原理 | 第23页 |
2.3.2 光学浮区法晶体生长过程 | 第23-24页 |
2.4 样品的表征手段 | 第24-26页 |
2.4.1 X射线衍射分析 | 第24-25页 |
2.4.2 扫描电子显微镜 | 第25-26页 |
2.4.3 紫外—可见光分光光度计 | 第26页 |
2.4.4 光致发光光谱 | 第26页 |
2.5 本章总结 | 第26-27页 |
第三章 第一性原理概述 | 第27-33页 |
3.1 密度泛函理论(DFT) | 第27-29页 |
3.1.1 Thomas-Fermi模型 | 第27-28页 |
3.1.2 Hohenberg-Kohn定理 | 第28页 |
3.1.3 Kohn-Sham方程 | 第28-29页 |
3.1.4 交换关联能的近似方法 | 第29页 |
3.2 密度泛函数值计算方法 | 第29-30页 |
3.3 CASTEP模块的使用方法介绍 | 第30-31页 |
3.3.1 CASTEP模块简介 | 第30页 |
3.3.2 CASTEP模块操作步骤 | 第30-31页 |
3.3.3 CASTEP模块参数设置 | 第31页 |
3.4 本章小结 | 第31-33页 |
第四章 (Cr,Ca):YAG陶瓷料棒的制备及其结构表征 | 第33-49页 |
4.1 YAG形成的微观过程 | 第33-34页 |
4.2 (Ca,Cr):YAG系列陶瓷料棒的制备过程 | 第34-36页 |
4.2.1 陶瓷料棒制备的意义 | 第34-35页 |
4.2.2 陶瓷料棒制备的过程 | 第35-36页 |
4.3 (Ca,Cr):YAG系列陶瓷料棒的结构表征 | 第36-41页 |
4.3.1 陶瓷料棒断面的形貌观察 | 第36-39页 |
4.3.2 (Ca,Cr):YAG陶瓷料棒X射线粉末衍射数据的分析 | 第39-41页 |
4.4 (Cr,Ca):YAG结构的RIETVELD分析 | 第41-43页 |
4.4.1 Rietveld方法简介 | 第41页 |
4.4.2 Rietveld分析方法的基本原理与流程 | 第41-42页 |
4.4.3 Rietveld方法峰形修正 | 第42页 |
4.4.4 Rietveld方法结果评价 | 第42-43页 |
4.5 Materials Stdio 8.0软件Rietveld精修简要步骤 | 第43-45页 |
4.5.1 导入衍射谱 | 第43页 |
4.5.2 设置Rietveld精修方法 | 第43-44页 |
4.5.3 精修结构 | 第44-45页 |
4.6 (Cr,Ca):YAG晶体粉末精修结果及分析 | 第45-48页 |
4.7 本章小结 | 第48-49页 |
第五章 (Cr,Ca):YAG晶体光谱性能的表征 | 第49-57页 |
5.1 (Cr,Ca):YAG晶体的荧光性能 | 第49-50页 |
5.2 (Cr,Ca):YAG晶体的吸收光谱 | 第50-52页 |
5.3 (Cr,Ca):YAG晶体的透射光谱 | 第52-54页 |
5.4 (Cr,Ca):YAG晶体的态密度以及禁带宽度 | 第54-56页 |
5.5 本章小结 | 第56-57页 |
第六章 总结与展望 | 第57-59页 |
6.1 总结 | 第57-58页 |
6.2 展望 | 第58-59页 |
参考文献 | 第59-63页 |
致谢 | 第63-64页 |
攻读硕士学位期间发表论文情况 | 第64页 |