| 致谢 | 第1-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-12页 |
| 主要符号对照表 | 第12-13页 |
| 1 引言 | 第13-26页 |
| ·红外探测技术简介 | 第13-14页 |
| ·碲镉汞红外探测器 | 第14-17页 |
| ·碲镉汞红外探测器里的光电耦合 | 第17-21页 |
| ·光电耦合的背景 | 第17-18页 |
| ·光电耦合的方式 | 第18-20页 |
| ·光电耦合面临的器件设计问题 | 第20-21页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第21-22页 |
| 本章参考文献 | 第22-26页 |
| 2 模拟仿真模型及方法 | 第26-43页 |
| ·研究需求 | 第26-27页 |
| ·理论模型 | 第27-34页 |
| ·时域有限差分方法 | 第27-30页 |
| ·有限元方法 | 第30-32页 |
| ·其它物理和参数模型 | 第32-34页 |
| ·模拟仿真研究的手段和方法 | 第34-40页 |
| ·技术路线 | 第35-37页 |
| ·网格划分 | 第37-40页 |
| ·本章小结 | 第40页 |
| 本章参考文献 | 第40-43页 |
| 3 亚波长陷光结构HgCdTe红外探测器研究 | 第43-64页 |
| ·光电子器件中的亚波长陷光结构 | 第43-51页 |
| ·光子晶体 | 第43-45页 |
| ·应用实例 | 第45-51页 |
| ·亚波长陷光结构HgCdTe红外探测器 | 第51-61页 |
| ·研究模型和参数 | 第51-54页 |
| ·结果与讨论 | 第54-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 本章参考文献 | 第62-64页 |
| 4 表面等离子体激元场增强HgCdTe红外探测器研究 | 第64-79页 |
| ·表面等离子体激元简介 | 第64-66页 |
| ·表面等离子体激元场增强HgCdTe红外探测器 | 第66-76页 |
| ·研究模型和参数 | 第66-69页 |
| ·结果与讨论 | 第69-74页 |
| ·实验进展 | 第74-76页 |
| ·本章小结 | 第76-77页 |
| 本章参考文献 | 第77-79页 |
| 5 总结与展望 | 第79-82页 |
| ·总结 | 第79-80页 |
| ·展望 | 第80-82页 |
| 附录 Hg1-xCdxTe材料基本参数 | 第82-84页 |
| 作者简介及在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第84-85页 |