| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 1 绪论 | 第10-17页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·金属氧化物半导体的介绍 | 第10页 |
| ·金属氧化物半导体的研究进展 | 第10-11页 |
| ·多孔金属氧化物材料 | 第11-14页 |
| ·多孔材料的分类及结构特点 | 第12-13页 |
| ·多孔金属氧化物的制备方法 | 第13-14页 |
| ·多孔材料的应用 | 第14页 |
| ·Cu_2O 的结构和应用 | 第14-15页 |
| ·Cu_2O 的结构 | 第14-15页 |
| ·Cu_2O 的应用 | 第15页 |
| ·本论文的选题背景和选题思路 | 第15-17页 |
| 2 实验方法及仪器 | 第17-29页 |
| ·阳极氧化方法 | 第17-20页 |
| ·实验仪器 | 第17页 |
| ·实验药品及化学试剂 | 第17页 |
| ·实验制备过程 | 第17-20页 |
| ·磁控溅射技术 | 第20-23页 |
| ·实验设备及参数特点 | 第21-22页 |
| ·实验所用原材料 | 第22页 |
| ·设备工作原理 | 第22-23页 |
| ·测试仪器 | 第23-29页 |
| ·扫描探针显微镜 | 第23-25页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第25-26页 |
| ·X 射线衍射仪 | 第26-27页 |
| ·物理性能测试系统 | 第27-29页 |
| 3 多孔 Cu_2O 薄膜的制备、表征和结构研究 | 第29-38页 |
| ·引言 | 第29页 |
| ·多孔 Cu_2O 的制备 | 第29-34页 |
| ·不同溅射功率下多孔 Cu_2O 薄膜的制备 | 第29-33页 |
| ·小结 | 第33-34页 |
| ·不同氧流量下制备的 Cu_2O 薄膜 | 第34-35页 |
| ·制备方法 | 第34-35页 |
| ·小结 | 第35页 |
| ·不同沉积时间下制备的 Cu_2O 薄膜 | 第35-37页 |
| ·制备方法 | 第36页 |
| ·不同沉积时间下制备的 Cu_2O 薄膜的表征 | 第36-37页 |
| ·小结 | 第37页 |
| ·本章总结 | 第37-38页 |
| 4 多孔 Cu_2O 的室温铁磁性研究 | 第38-47页 |
| ·引言 | 第38页 |
| ·多孔 Cu_2O 中出现的室温铁磁性 | 第38-39页 |
| ·不同氧流量下制备的 Cu_2O 薄膜的室温铁磁性 | 第39-41页 |
| ·不同沉积时间下制备的 Cu_2O 薄膜的室温铁磁性 | 第41-43页 |
| ·退火对 Cu_2O 薄膜磁性的影响 | 第43-45页 |
| ·实验方法 | 第43页 |
| ·退火后 Cu_2O 薄膜磁性的表征 | 第43-44页 |
| ·小结 | 第44-45页 |
| ·氧空位存在的证据 | 第45页 |
| ·氧空位是 RTFM 的产生原因 | 第45-47页 |
| 5 室温铁磁性的产生原因分析 | 第47-49页 |
| ·理论背景 | 第47页 |
| ·室温铁磁性的形成机制 | 第47-49页 |
| 6 总结与展望 | 第49-51页 |
| ·结论 | 第49页 |
| ·创新点 | 第49-50页 |
| ·工作展望 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 攻读学位期间取得的科研成果清单 | 第58页 |