| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-12页 |
| ·自旋电子学（Spintronics） | 第10页 |
| ·稀磁半导体（DMS） | 第10-11页 |
| ·选题思路 | 第11-12页 |
| 第2章 基本理论 | 第12-25页 |
| ·第一性原理计算 | 第12-13页 |
| ·能带计算常用的几种方法 | 第13-16页 |
| ·正交化平面波方法 | 第13-14页 |
| ·缀加平面波方法 | 第14-15页 |
| ·赝势方法 | 第15-16页 |
| ·密度泛函理论 | 第16-22页 |
| ·Hohenberg－Kohn 定理 | 第16-19页 |
| ·Kohn-Sham 方程 | 第19-20页 |
| ·局域密度近似(Local Spin Density Approximation,LDA) | 第20-21页 |
| ·广义梯度近似(Generalized Gradient Approximation, GGA) | 第21-22页 |
| ·自洽-迭代计算 | 第22-23页 |
| ·VASP 程序包简介 | 第23-25页 |
| 第3章 TiO_2还原表面的电子结构和磁性 | 第25-66页 |
| ·模型构建和计算方法 | 第25-27页 |
| ·模型构建 | 第25-26页 |
| ·计算方法 | 第26-27页 |
| ·（100）面电子结构与磁学性质 | 第27-42页 |
| ·正分比以及一个氧空位的（100）面 | 第28-36页 |
| ·两个氧空位（100）面的计算结果与分析 | 第36-41页 |
| ·铁磁耦合的机制 | 第41-42页 |
| ·（101）面电子结构与磁学性质 | 第42-54页 |
| ·正分比以及一个氧空位（101）面的计算 | 第43-48页 |
| ·两个氧空位（101）面的计算结果与分析 | 第48-53页 |
| ·铁磁耦合的机制 | 第53-54页 |
| ·（001）面电子结构与磁学性质 | 第54-66页 |
| ·正分比以及一个氧空位（001）面 | 第55-60页 |
| ·两个氧空位（001）面的计算结果与分析 | 第60-65页 |
| ·铁磁耦合的机制 | 第65-66页 |
| 第4章 结论 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 致谢 | 第71页 |