高介电常数栅介质MOSFET的研制

摘要	第1-6页
Abstract	第6-10页
第1章 绪论	第10-27页
·集成电路的发展	第10-12页
·等比缩小遇到的挑战	第12-18页
·栅介质减薄的限制	第14-15页
·器件尺寸减小带来的加工困难	第15页
·金属互连RC效应的影响	第15-16页
·载流子迁移率退化和速度饱和	第16-17页
·杂质随机分布的影响	第17-18页
·解决方案及现状	第18-27页
·新型材料的使用	第18-24页
·开发新颖的器件结构	第24-25页
·采用先进的加工工艺	第25-27页
第2章 材料选择与版图设计	第27-38页
·材料选择	第27-30页
·MOSFET的结构与工作原理	第27-28页
·材料选择	第28-30页
·版图设计	第30-38页
·L-edit版图设计工具	第30-31页
·MOSFET的版图设计	第31-38页
第3章 制备工艺流程	第38-48页
·主要工艺及设备介绍	第38-41页
·硅片的清洗	第38-39页
·扩散	第39页
·薄膜制备	第39-40页
·光刻	第40-41页
·刻蚀	第41页
·源漏区制作	第41-44页
·光刻源漏区	第41-42页
·离子注入	第42-44页
·栅极栈堆制备	第44-46页
·光刻栅极栈堆图形	第45页
·High-k栅介质薄膜沉积	第45-46页
·栅极金属沉积	第46页
·金属引线的制备	第46-48页
第4章 测试结果与分析	第48-51页
·MOSFET性能的测试	第48-49页
·结果分析	第49-51页
结论	第51-52页
参考文献	第52-54页
附录	第54-55页
致谢	第55页