| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-33页 |
| ·引言 | 第15-16页 |
| ·SiC 半导体材料的研究概述 | 第16-19页 |
| ·SiC 半导体材料的结构和基本特性 | 第19-24页 |
| ·本文的主要工作和研究内容 | 第24-25页 |
| 参考文献 | 第25-33页 |
| 第二章 理论研究方法 | 第33-59页 |
| ·Born-Oppenheimer 绝热近似 | 第33-35页 |
| ·Hartree-Fock 方法 | 第35-37页 |
| ·密度泛函理论方法 | 第37-46页 |
| ·Hohenberg-Kohn 定理 | 第38-41页 |
| ·Kohn—Sham 方程 | 第41-43页 |
| ·局域密度近似(LDA) | 第43-44页 |
| ·广义梯度近似(GGA) | 第44-46页 |
| ·格林函数法 | 第46-52页 |
| ·平衡态格林函数 | 第46-48页 |
| ·非平衡态格林函数 | 第48-52页 |
| ·论文采用的基于密度泛函理论的计算软件 | 第52-55页 |
| ·CASTEP 软件介绍 | 第53-54页 |
| ·DMol3 软件介绍 | 第54页 |
| ·Atomistix ToolKit (ATK)软件介绍 | 第54-55页 |
| ·本章小结 | 第55页 |
| 参考文献 | 第55-59页 |
| 第三章 SiC 多型体材料属性的理论模拟 | 第59-87页 |
| ·SiC 多型体的晶体结构和基本性质 | 第59-61页 |
| ·SiC 多型体的电子结构 | 第61-75页 |
| ·纳米 SiC 材料特性及潜在应用前景 | 第75-79页 |
| ·本章小结 | 第79页 |
| 参考文献 | 第79-87页 |
| 第四章 SiC 纳米线的结构和性质研究 | 第87-113页 |
| ·理论模型和计算方法 | 第87-91页 |
| ·理论模型 | 第87-91页 |
| ·计算方法 | 第91页 |
| ·SiC 纳米线电子结构与性能研究 | 第91-109页 |
| ·SiC 纳米线几何结构和稳定性分析 | 第91-93页 |
| ·SiC 纳米线能带结构和态密度分析 | 第93-98页 |
| ·SiC 纳米线电荷密度分析 | 第98-103页 |
| ·SiC 纳米线 HOMO-LUMO 分析 | 第103-106页 |
| ·SiC 纳米线光学性质研究 | 第106-109页 |
| ·本章小结 | 第109-110页 |
| 参考文献 | 第110-113页 |
| 第五章 SiC 纳米管的结构和性质研究 | 第113-139页 |
| ·理论模型和计算方法 | 第113-115页 |
| ·理论模型 | 第113-114页 |
| ·计算方法 | 第114-115页 |
| ·SiC 纳米管电子结构与性能研究 | 第115-123页 |
| ·SiC 纳米管几何结构与稳定性分析 | 第115-116页 |
| ·SiC 纳米管能带结构和态密度 | 第116-119页 |
| ·SiC 纳米线电荷密度分析 | 第119-120页 |
| ·SiC 纳米管 HOMO-LUMO 分析 | 第120-121页 |
| ·SiC 纳米管光学性能研究 | 第121-123页 |
| ·Fe 掺杂 SiC 纳米管电子结构与性质研究 | 第123-133页 |
| ·引言 | 第123页 |
| ·模型构建与计算方法 | 第123-125页 |
| ·Fe 掺杂 SiC 纳米管的几何结构分析 | 第125-128页 |
| ·Fe 掺杂 SiC 纳米管的能带结构分析 | 第128-129页 |
| ·Fe 掺杂 SiC 纳米管的态密度分析 | 第129-132页 |
| ·Fe 掺杂 SiC 纳米管的自旋电荷密度分析 | 第132-133页 |
| ·本章小结 | 第133-134页 |
| 参考文献 | 第134-139页 |
| 第六章 SiC 纳米管电子输运特性研究 | 第139-161页 |
| ·引言 | 第139页 |
| ·理论模型和计算方法 | 第139-142页 |
| ·理论模型 | 第139-141页 |
| ·计算方法 | 第141-142页 |
| ·SiC 纳米管电子输运结果与分析 | 第142-158页 |
| ·SiC 纳米管电极的结果与分析 | 第142-144页 |
| ·耦合于金(111)电极的结果与分析（电极与碳原子层耦合） | 第144-151页 |
| ·耦合于金(111)电极的结果与分析（电极与硅原子层耦合） | 第151-158页 |
| ·本章小节 | 第158-159页 |
| 参考文献 | 第159-161页 |
| 第七章 SiC 纳米线电子输运特性研究 | 第161-179页 |
| ·引言 | 第161页 |
| ·理论模型和计算方法 | 第161-164页 |
| ·理论模型 | 第161-163页 |
| ·计算方法 | 第163-164页 |
| ·SiC 纳米线电子输运结果与分析 | 第164-173页 |
| ·SiC 纳米线电极的结果与分析 | 第164-165页 |
| ·耦合于金(111)结果与分析（电极与碳原子层耦合） | 第165-170页 |
| ·耦合于金(111)结果与分析（电极与硅原子层耦合） | 第170-173页 |
| ·本章小节 | 第173-174页 |
| 参考文献 | 第174-179页 |
| 第八章 工作总结与展望 | 第179-183页 |
| ·本文的主要结论和创新点 | 第179-181页 |
| ·今后工作展望 | 第181-183页 |
| 攻读博士学位期间的研究成果和获奖情况 | 第183-187页 |
| 致谢 | 第187页 |
