| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 1 绪论 | 第10-22页 |
| ·课题背景及意义 | 第10-13页 |
| ·研究现状概述 | 第13-20页 |
| ·AlGaN/GaN 材料国内外研究现状及高电子迁移率晶体管（HEMT）发展概况 | 第13-16页 |
| ·基于场效应晶体管的微悬臂梁及传感器的国内外研究现状 | 第16-20页 |
| ·主要研究内容 | 第20-21页 |
| ·论文创新点 | 第21-22页 |
| 2 AlGaN/GaN HEMT 器件及微悬臂梁结构的力电耦合测试基础 | 第22-33页 |
| ·氮化镓材料的压阻特性 | 第22-23页 |
| ·二维电子气 | 第23-24页 |
| ·HEMT 器件结构特点 | 第24-25页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 器件及微悬臂梁结构的设计 | 第25-28页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 力电耦合验证结构的设计 | 第25-27页 |
| ·微悬臂梁结构的设计与加工 | 第27-28页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 微结构力电耦合原理 | 第28-32页 |
| ·压阻效应 | 第29-31页 |
| ·电特性效应 | 第31-32页 |
| ·自发极化 | 第31页 |
| ·压电极化 | 第31-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 3 基于 AlGaN/GaN HEMT 微悬臂梁器件特性测试及应力分析 | 第33-40页 |
| ·HEMT 器件的 I-V 特性及转移特性测试 | 第33-34页 |
| ·残余应力测试 | 第34-37页 |
| ·拉曼散射测量 | 第34-35页 |
| ·残余应力对 GaN 材料及微结构的影响 | 第35页 |
| ·微结构应力测试 | 第35-37页 |
| ·高低温应力测试 | 第37-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 4 基于 AlGaN/GaN HEMT 微悬臂梁器件力电耦合实验验证 | 第40-53页 |
| ·静态特性测试分析 | 第40-41页 |
| ·静态加压实验 | 第41-43页 |
| ·温度特性测试分析 | 第43-47页 |
| ·HEMT 器件温度特性理论分析 | 第43-44页 |
| ·HEMT 器件的温度特性研究 | 第44-45页 |
| ·器件温度特性实验结果及分析 | 第45-47页 |
| ·压阻系数 | 第47-52页 |
| ·实验方法 | 第47页 |
| ·结果分析 | 第47-50页 |
| ·不同温度下的压阻系数 | 第50-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 总结与展望 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-62页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及所取得的研究成果 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63页 |
