高效多晶硅太阳能电池制备工艺研究
摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-10页 |
第1章 绪论 | 第10-22页 |
·立题背景 | 第10-11页 |
·全球光伏产业的发展状况 | 第11-19页 |
·全球光伏市场走势 | 第11-12页 |
·全球光伏技术的发展状况 | 第12-14页 |
·全球量产新结构体硅电池 | 第14-19页 |
·多晶硅太阳能电池的优势 | 第19-20页 |
·多晶硅片生产优势 | 第19-20页 |
·多晶硅太阳能电池生产优势 | 第20页 |
·本文研究的主要内容 | 第20-22页 |
第2章 多晶硅太阳能电池理论研究 | 第22-28页 |
·多晶硅太阳能电池结构及原理 | 第22-23页 |
·多晶硅太阳能电池的光学特性 | 第23-25页 |
·光谱响应特性 | 第23-24页 |
·短路电流 | 第24页 |
·少子寿命 | 第24-25页 |
·多晶硅太阳能电池的电学特性 | 第25-27页 |
·等效电路以及电流-电压特性 | 第25-26页 |
·开路电压 | 第26-27页 |
·本章小结 | 第27-28页 |
第3章 多晶硅太阳能电池制备工艺优化 | 第28-51页 |
·一次清洗工序 | 第28-31页 |
·一次清洗工序的原理 | 第28-29页 |
·一次清洗工序的工艺参数 | 第29-30页 |
·一次清洗工序的工艺优化 | 第30-31页 |
·扩散工序 | 第31-35页 |
·扩散原理 | 第31-32页 |
·扩散工艺参数 | 第32-34页 |
·扩散工艺优化 | 第34-35页 |
·湿法刻蚀工序 | 第35-39页 |
·湿法刻蚀的原理 | 第35-36页 |
·湿法刻蚀设备以及工艺参数 | 第36-38页 |
·湿法刻蚀工艺优化 | 第38-39页 |
·等离子体增强化学气相沉积工序 | 第39-42页 |
·等离子体增强化学气相沉积氮化硅薄膜的原理 | 第39-40页 |
·等离子体增强化学气相沉积氮化硅薄膜的工艺参数 | 第40-41页 |
·等离子体增强化学气相沉积氮化硅薄膜的工艺优化 | 第41-42页 |
·金属化工序 | 第42-46页 |
·金属化工序的原理 | 第42-44页 |
·金属化工序的工艺参数 | 第44-45页 |
·金属化工序的工艺优化 | 第45-46页 |
·测试分选工序 | 第46-49页 |
·太阳能测试仪的原理 | 第46-48页 |
·表征太阳能电池特性的其它设备 | 第48-49页 |
·本章小结 | 第49-51页 |
第4章 多晶硅太阳能电池制备工艺的匹配问题研究 | 第51-66页 |
·一次清洗减薄厚度与后续工艺的匹配问题 | 第51-54页 |
·实验 | 第51-52页 |
·分析与讨论 | 第52-54页 |
·结论 | 第54页 |
·浅扩散与PECVD 以及丝印烧结工序的匹配问题 | 第54-58页 |
·实验 | 第55-56页 |
·分析和讨论 | 第56-58页 |
·结论 | 第58页 |
·湿法刻蚀与双面扩散的工艺匹配问题 | 第58-61页 |
·实验 | 第59页 |
·分析和讨论 | 第59-61页 |
·结论 | 第61页 |
·顶电极设计与浅扩散工艺的匹配问题 | 第61-64页 |
·发射区方块电阻 | 第61-62页 |
·副栅线间距 | 第62-63页 |
·主栅线的条数以及宽度 | 第63-64页 |
·本章小结 | 第64-66页 |
结论 | 第66-67页 |
参考文献 | 第67-71页 |
致谢 | 第71页 |