| 作者简介 | 第1-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-22页 |
| ·研究背景及意义 | 第12-16页 |
| ·研究背景 | 第12-14页 |
| ·4H-SiC MESFET 的研究意义 | 第14-16页 |
| ·4H-SiC MESFET 的研究现状及存在的问题 | 第16-19页 |
| ·4H-SiC MESFET 的研究现状 | 第16-19页 |
| ·需要解决的问题 | 第19页 |
| ·本文研究内容及章节安排 | 第19-22页 |
| 第二章 4H-SiC MESFET 的理论分析 | 第22-42页 |
| ·4H-SiC 材料的性质 | 第22-26页 |
| ·4H-SiC MESFET 的直流特性理论研究 | 第26-31页 |
| ·半导体器件工作的的微观模型 | 第26-27页 |
| ·MESFET 的工作机理 | 第27-28页 |
| ·4H-SiC MESFET 电流模型与分析 | 第28-31页 |
| ·4H-SiC MESFET 的交流特性理论研究 | 第31-40页 |
| ·漏极电导和跨导 | 第32-34页 |
| ·栅-源电容 | 第34-35页 |
| ·截止频率和最高振荡频率 | 第35-40页 |
| ·本章小结 | 第40-42页 |
| 第三章 缓冲栅结构 4H-SiC MESFET 的理论分析 | 第42-60页 |
| ·4H-SiC MESFET 的结构优化 | 第42-44页 |
| ·缓冲栅 4H-SiC MESFET 的结构 | 第44-45页 |
| ·直流电流模型 | 第45-49页 |
| ·交流小信号参数模型 | 第49-53页 |
| ·结果与讨论 | 第53-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 第四章 双材料栅结构 4H-SiC MESFET 亚阈值特性理论分析 | 第60-84页 |
| ·H-SiC MESFET 的亚阈值特性和 DIBL 效应 | 第60-70页 |
| ·4H-SiC MESFET 的亚阈值状态 | 第60-63页 |
| ·DIBL 效应 | 第63页 |
| ·4H-SiC MESFET 的亚阈值特性理论分析 | 第63-70页 |
| ·双材料栅 4H-SiC MESFET 新结构 | 第70-71页 |
| ·双材料栅结构 4H-SiC MESFET 的亚阈值特性理论分析 | 第71-75页 |
| ·沟道势分布函数 | 第71-73页 |
| ·阈值电压 | 第73-74页 |
| ·亚阈值倾斜因子 | 第74-75页 |
| ·结果与讨论 | 第75-81页 |
| ·本章小结 | 第81-84页 |
| 第五章 双沟结构 4H-SiC MESFET 亚阈值特性理论分析 | 第84-96页 |
| ·双沟 4H-SiC MESFET 的器件结构 | 第84-85页 |
| ·亚阈值沟道势分布函数 | 第85-87页 |
| ·阈值电压 | 第87-88页 |
| ·亚阈值倾斜因子 | 第88-89页 |
| ·结果与讨论 | 第89-94页 |
| ·本章小结 | 第94-96页 |
| 第六章 总结与展望 | 第96-100页 |
| 致谢 | 第100-102页 |
| 参考文献 | 第102-112页 |
| 作者攻读博士期间的研究成果和参与项目 | 第112-114页 |
