| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-11页 |
| 第二章 ZnO的基本性质及低维材料的特性简介 | 第11-24页 |
| 2．1 ZnO材料的基本特性 | 第11-12页 |
| 2．2 ZnO的紫外激光的研究进展 | 第12-16页 |
| 2．3 低维ZnO纳米材料的研究进展 | 第16-18页 |
| 2．4 低维材料的研究意义 | 第18-24页 |
| 第三章 ZnO薄膜材料的制备和表征方法简介 | 第24-32页 |
| 3．1 电子束蒸发设备的原理和结构 | 第24-26页 |
| 3．2 热退火装置的结构 | 第26-27页 |
| 3．3 X射线衍射的原理 | 第27-29页 |
| 3．4 微区光致发光光谱仪的结构 | 第29-30页 |
| 3．5 透射反射谱的测试原理 | 第30-32页 |
| 第四章 热氧化Zn膜制备的纳米ZnO薄膜的结构和光学性质研究 | 第32-42页 |
| 4．1 出发点 | 第32页 |
| 4．2 样品的制备过程 | 第32-33页 |
| 4．3 热氧化Zn膜制备的纳米ZnO薄膜的结构特征 | 第33-34页 |
| 4．4 热氧化Zn膜制备的纳米ZnO薄膜的光学特性 | 第34-41页 |
| §4．4．1 室温光致发光分析 | 第34-38页 |
| §4．4．2 低温光致发光分析 | 第38-41页 |
| 4．5 本章小节 | 第41-42页 |
| 第五章 以MgO薄膜为缓冲层制备的ZnO及MgZnO合金薄膜的结构和光学特性研究 | 第42-56页 |
| 5．1 背景资料 | 第42-43页 |
| 5．2 半导体量子阱超晶格的基本性质 | 第43-46页 |
| 5．3 样品的制备 | 第46-48页 |
| 5．4 以MgO为缓冲层制备的ZnO及MgZnO合金薄膜的结构研究 | 第48-50页 |
| 5．5 以MgO为缓冲层制备的ZnO及MgZnO合余薄膜的光学性质研究 | 第50-55页 |
| §5．5．1 室温光致发光（PL）分析 | 第50-52页 |
| §5．5．2 低温光致发光谱分析 | 第52-53页 |
| §5．5．3 反射谱分析 | 第53-55页 |
| 5．6 本章小节 | 第55-56页 |
| 第六章 结论 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第62页 |
