| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| ·研究背景 | 第9页 |
| ·毫米低噪声放大器的研究现状 | 第9-14页 |
| ·论文内容安排 | 第14-15页 |
| 第二章 CMOS 器件的建模 | 第15-41页 |
| ·BSIM 模型 | 第16-25页 |
| ·非均匀掺杂及短沟和窄沟效应对阈值电压的影响 | 第17-20页 |
| ·迁移率 | 第20-21页 |
| ·体电荷效应 | 第21页 |
| ·输出电阻模型 | 第21-24页 |
| ·亚阈区漏源电流 | 第24页 |
| ·统一的电流-电压模型 | 第24-25页 |
| ·模型的参数提取 | 第25-36页 |
| ·参数提取的概念 | 第25-26页 |
| ·模型参数提取与优化的工作流程 | 第26-30页 |
| ·ICCAP 建模软件 | 第30-32页 |
| ·器件特性的测量 | 第32-34页 |
| ·模型参数验证 | 第34-36页 |
| ·RF 建模 | 第36-41页 |
| 第三章 低噪声放大器理论 | 第41-52页 |
| ·匹配网络 | 第41-43页 |
| ·Smith 圆图 | 第41-42页 |
| ·归一化阻抗和导纳的 Smith 圆图 | 第42页 |
| ·阻抗匹配网络 | 第42-43页 |
| ·稳定性的设计 | 第43-44页 |
| ·噪声设计 | 第44-47页 |
| ·二端口网络的噪声 | 第44-45页 |
| ·等噪声系数圆 | 第45-47页 |
| ·低噪声放大器的主要技术指标 | 第47-52页 |
| 第四章 低噪声放大器设计和仿真 | 第52-71页 |
| ·结构选择 | 第52-53页 |
| ·CMOS 共源共栅级联源极负反馈低噪声放大器的设计 | 第53-62页 |
| ·结构分析 | 第54-55页 |
| ·共源共栅源极负反馈结构的电路小信号分析 | 第55-59页 |
| ·共源共栅源极负反馈结构的噪声分析 | 第59-62页 |
| ·低噪声放大器的设计流程 | 第62页 |
| ·匹配网络的设计 | 第62-64页 |
| ·电路仿真结果 | 第64-71页 |
| ·前仿真结果 | 第64-67页 |
| ·后仿真的结果 | 第67-70页 |
| ·前后仿真结果比较 | 第70-71页 |
| 第五章 版图设计 | 第71-73页 |
| 第六章 总结 | 第73-75页 |
| ·总结 | 第73页 |
| ·展望 | 第73-75页 |
| ·MOSFET 建模 | 第73-74页 |
| ·低噪声放大器电路设计 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-79页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第79-80页 |