导体量子点中电子能量和性质的研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-9页 |
| 1 绪论 | 第9-12页 |
| ·国内外研究现状 | 第9-10页 |
| ·研究的意义 | 第10-11页 |
| ·本文研究的目的和研究内容 | 第11-12页 |
| 2 半导体量子点的制备、特点和应用 | 第12-21页 |
| ·半导体量子点材料的制备技术 | 第12-15页 |
| ·微结构生长与微细加工相结合方法 | 第12-14页 |
| ·应变自组装技术 | 第14-15页 |
| ·半导体量子点的量子效应 | 第15-18页 |
| ·表面效应 | 第15-16页 |
| ·量子尺寸效应 | 第16页 |
| ·宏观量子隧道效应 | 第16页 |
| ·共振隧穿现象 | 第16-17页 |
| ·库仑阻塞效应 | 第17页 |
| ·量子干涉特性 | 第17-18页 |
| ·半导体量子点的应用 | 第18-21页 |
| ·量子计算机 | 第18-19页 |
| ·量子点激光器 | 第19页 |
| ·量子点红外探测器 | 第19页 |
| ·半导体量子点在生物方面的应用 | 第19-21页 |
| 3 理论计算方法 | 第21-29页 |
| ·引言 | 第21页 |
| ·非相对论近似 | 第21-22页 |
| ·绝热近似 | 第22页 |
| ·中性平均背景势场和有效质量近似 | 第22-23页 |
| ·密度泛函理论 | 第23-27页 |
| ·Hohenberg-Kohn 定理 | 第23-25页 |
| ·Kohn-Sham 方程 | 第25-26页 |
| ·局域密度近似 | 第26-27页 |
| ·程序流程图及计算方法 | 第27-28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 4 计算结果分析 | 第29-53页 |
| ·半导体量子点中电子基态能和化学势的计算 | 第29-34页 |
| ·模型与理论计算方法 | 第29页 |
| ·数值计算与结果分析 | 第29-34页 |
| ·小结 | 第34页 |
| ·杂质对半导体量子点中电子基态能的影响 | 第34-46页 |
| ·模型与理论计算方法 | 第35页 |
| ·数值计算与结果分析 | 第35-45页 |
| ·小结 | 第45-46页 |
| ·半导体量子点中电子的特性 | 第46-53页 |
| ·模型与理论计算方法 | 第46-47页 |
| ·数值计算与结果分析 | 第47-52页 |
| ·小结 | 第52-53页 |
| 5 结论与展望 | 第53-54页 |
| ·主要结论 | 第53页 |
| ·需要进一步研究的内容 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-59页 |
| 附录 | 第59页 |
