| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1. 绪论 | 第9-21页 |
| ·课题研究的目的和意义 | 第9-11页 |
| ·国内外综述 | 第11-19页 |
| ·微传感器及用不同材料传感器的工作原理 | 第11-16页 |
| ·压控变容二极管 | 第16-17页 |
| ·隧穿效应 | 第17-19页 |
| ·论文的主要研究内容 | 第19-21页 |
| 2. 超晶格共振隧穿效应 | 第21-37页 |
| ·半导体材料相关知识 | 第21-27页 |
| ·超晶格量子阱 | 第21-24页 |
| ·半导体材料的费米能级计算 | 第24-26页 |
| ·GaAs 和Al_Ga_(1-x)As参数计算 | 第26-27页 |
| ·共振隧穿效应分析 | 第27-37页 |
| ·超晶格结构透射系数和电流密度公式推导 | 第30-34页 |
| ·双势垒结构的隧穿电流电压关系的计算分析 | 第34-37页 |
| 3. DBRT 结构电容特性分析 | 第37-45页 |
| ·DBRT 结构的等效电容计算 | 第37-43页 |
| ·不考虑遂穿电流的电容计算 | 第37-39页 |
| ·考虑遂穿电流的等效电容计算 | 第39-43页 |
| ·介观压容效应理论分析 | 第43-45页 |
| 4. 介观压容效应和压控变容原理对比 | 第45-47页 |
| ·压控变容二极管原理分析 | 第45-46页 |
| ·介观压容效应与压控变容二极管原理对比 | 第46-47页 |
| 5. 应变对 DBRT 结构的电流和电容影响分析 | 第47-62页 |
| ·应变对势垒高度，垒宽，阱宽的改变规律 | 第47-49页 |
| ·DBRT 结构各物理参数对透射系数和隧穿电流的影响 | 第49-57页 |
| ·各物理参数对透射系数的影响 | 第49-52页 |
| ·各物理参数对隧穿电流的影响 | 第52-57页 |
| ·应变对DBRT 结构透射系数和隧穿电流电压关系的影响 | 第57-59页 |
| ·势垒高度，势垒宽度以及势阱宽度对DBRT 结构等效电容的影响 | 第59-62页 |
| 6. 文章总结与展望 | 第62-64页 |
| ·文章总结 | 第62-63页 |
| ·展望 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 攻读硕士期间发表的论文及所取得的研究成果 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
