| 中文摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 本论文主要创新点 | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-29页 |
| ·化学修饰电极 | 第12-14页 |
| ·化学修饰电极的修饰方法 | 第12-13页 |
| ·CME 在催化氧化还原反应方面的应用 | 第13-14页 |
| ·杂多化合物修饰电极 | 第14-19页 |
| ·多酸化学简介 | 第14-15页 |
| ·多酸修饰电极的制备方法 | 第15-17页 |
| ·多酸修饰电极在电分析化学中的应用 | 第17-18页 |
| ·负载型杂多酸催化剂的应用 | 第18-19页 |
| ·导电聚合物概述 | 第19-21页 |
| ·导电聚合物膜修饰电极的发展 | 第19-20页 |
| ·导电聚合物的制备 | 第20页 |
| ·导电聚合物的掺杂 | 第20-21页 |
| ·导电聚合物的分类 | 第21页 |
| ·聚合物膜修饰电极及其应用 | 第21页 |
| ·本论文的选题思想及主要研究内容 | 第21-22页 |
| 参考文献 | 第22-29页 |
| 第二章 TiO_2-MoO_3 负载硅钨酸盐聚苯胺膜电极的制备及对抗坏血酸的电催化 | 第29-39页 |
| ·引言 | 第29页 |
| ·实验部分 | 第29-30页 |
| ·仪器及试剂 | 第29-30页 |
| ·修饰电极的制备 | 第30页 |
| ·实验方法 | 第30页 |
| ·结果与讨论 | 第30-37页 |
| ·聚合条件的优化 | 第30-32页 |
| ·修饰电极的电化学行为 | 第32-33页 |
| ·溶液 pH 的影响 | 第33页 |
| ·AA 在修饰电极上的电化学行为 | 第33-34页 |
| ·扫速的影响 | 第34-35页 |
| ·电极的稳定性 | 第35页 |
| ·线性范围和检出限 | 第35-36页 |
| ·干扰实验 | 第36页 |
| ·分析应用 | 第36-37页 |
| 参考文献 | 第37-39页 |
| 第三章 掺杂 SiW_(12)/TiO_2-MoO_3 聚苯胺修饰电极的制备及其电化学性质 | 第39-47页 |
| ·引言 | 第39页 |
| ·实验部分 | 第39-40页 |
| ·仪器及试剂 | 第39-40页 |
| ·电极的制备 | 第40页 |
| ·实验方法 | 第40页 |
| ·结果与讨论 | 第40-46页 |
| ·聚合条件的优化 | 第40-43页 |
| ·修饰电极的电化学行为 | 第43-44页 |
| ·扫速对修饰电极峰的影响 | 第44页 |
| ·NO_2~-在修饰电极上的电化学行为 | 第44-45页 |
| ·电极的稳定性和重现性 | 第45页 |
| ·线性范围和检出限 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-47页 |
| 第四章 TiO_2-WO_3 负载硅钨酸盐聚苯胺膜电极的电化学行为及电催化性能研究 | 第47-55页 |
| ·引言 | 第47页 |
| ·实验部分 | 第47-48页 |
| ·仪器与试剂 | 第47页 |
| ·修饰电极的制备 | 第47-48页 |
| ·结果与讨论 | 第48-53页 |
| ·聚合条件的优化 | 第48-50页 |
| ·修饰电极的电化学行为 | 第50-51页 |
| ·循环伏安特性 | 第50页 |
| ·底液的 pH 值对修饰膜的影响 | 第50-51页 |
| ·扫速的影响 | 第51页 |
| ·修饰电极对 BrO_3~- 的电催化还原 | 第51-52页 |
| ·电极的稳定性和重现性 | 第52-53页 |
| ·标准曲线，检出限及回收率 | 第53页 |
| 参考文献 | 第53-55页 |
| 第五章 硅钨杂多酸-聚吡啶修饰电极对多巴胺的电化学行为研究 | 第55-63页 |
| ·引 言 | 第55页 |
| ·实验部分 | 第55-56页 |
| ·仪器与试剂 | 第55-56页 |
| ·SiW12-PPy/GCE 的制备 | 第56页 |
| ·实验方法 | 第56页 |
| ·结果与讨论 | 第56-61页 |
| ·聚合条件的优化 | 第56-57页 |
| ·修饰电极的电化学行为 | 第57-58页 |
| ·DA 在修饰电极上的电化学行为 | 第58-59页 |
| ·底液 pH 的影响 | 第59页 |
| ·起始电位的影响 | 第59页 |
| ·富集时间 | 第59页 |
| ·计时库仑法 | 第59-60页 |
| ·电极的稳定性及重现性 | 第60页 |
| ·线性范围和检测限 | 第60页 |
| ·干扰实验 | 第60-61页 |
| ·样品分析 | 第61页 |
| 参考文献 | 第61-63页 |
| 附录 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64页 |
