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SoC嵌入式栅氧击穿测试技术及IP开发

摘要第1-5页
Abstract第5-8页
第一章 绪论第8-13页
   ·失效监测单元电路的研究意义第8-12页
   ·本文的主要工作第12-13页
第二章 栅氧击穿基本理论第13-32页
   ·栅氧击穿第13-27页
     ·栅氧化层内的电荷和电流第13-17页
     ·栅氧击穿分类第17-18页
     ·栅氧击穿机理和栅氧失效模型第18-23页
     ·几种影响TDDB的相关因素第23-27页
   ·栅氧击穿测量方法第27-31页
     ·栅氧厚度第27页
     ·栅氧电学特性第27-31页
   ·小结第31-32页
第三章 栅氧击穿监测单元电路设计第32-61页
   ·栅氧击穿监测单元电路第32-36页
     ·电路组成第32-33页
     ·电路工作过程第33-34页
     ·电路工作原理第34-36页
   ·栅氧击穿监测单元电路设计第36-59页
     ·栅氧击穿监测单元电路设计理论分析第36-43页
     ·本文栅氧击穿监测单元电路的设计相关标准第43-45页
     ·宿主电路第45-49页
     ·栅氧击穿监测单元电路的设计方法和流程第49页
     ·宿主电路是0.25um 工艺的栅氧击穿监测单元电路第49-55页
     ·宿主电路是0.13um工艺的栅氧击穿监测单元电路第55-59页
   ·栅氧击穿监测单元电路IP库组建前景第59-60页
   ·小结第60-61页
第四章 版图设计和实验验证设计第61-72页
   ·栅氧击穿监测单元电路版图设计第61-63页
     ·部分版图第61-63页
     ·版图第63页
   ·实验设计第63-69页
   ·实验结果分析第69-71页
   ·小结第71-72页
结论第72-74页
致谢第74-76页
参考文献第76-80页
研究成果第80-81页
附录A TDDB的面积指数公式第81-82页
附录B交流和脉冲情形下的栅氧击穿第82-84页
附录C集成电路工艺和栅氧击穿发生的地方第84-87页

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