手机用TFT-LCD驱动显示芯片内置SRAM的研究与设计
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 目录 | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| ·课题背景及来源 | 第7-10页 |
| ·SoC技术 | 第7-8页 |
| ·内置存储器 | 第8-10页 |
| ·SRAM发展趋势 | 第10页 |
| ·论文研究内容 | 第10-11页 |
| ·论文结构安排 | 第11-13页 |
| 第二章 静态随机存储器概述 | 第13-23页 |
| ·概述 | 第13-14页 |
| ·SRAM存储单元结构及特点 | 第14-19页 |
| ·数据存储原理 | 第14-15页 |
| ·四管静态存储单元 | 第15-16页 |
| ·六管静态存储单元 | 第16-17页 |
| ·TFT静态存储单元 | 第17-18页 |
| ·双端口静态存储单元 | 第18-19页 |
| ·SRAM的分类 | 第19-20页 |
| ·异步SRAM | 第19页 |
| ·同步SRAM | 第19-20页 |
| ·特种SRAM | 第20页 |
| ·低功耗SRAM设计方法 | 第20-23页 |
| 第三章 SRAM设计 | 第23-47页 |
| ·TFT-LCD驱动芯片系统概述 | 第23-25页 |
| ·SRAM设计目标 | 第25-26页 |
| ·SRAM结构设计 | 第26-28页 |
| ·存储单元的设计 | 第28-37页 |
| ·存储单元工作原理 | 第28-31页 |
| ·SRAM单元尺寸范围的确定 | 第31-34页 |
| ·SNM分析 | 第34-37页 |
| ·预充单元设计 | 第37-42页 |
| ·常用预充机制分析 | 第37-38页 |
| ·电荷再分配预充电路设计 | 第38-41页 |
| ·预充电译码 | 第41-42页 |
| ·输入输出电路 | 第42-43页 |
| ·译码电路 | 第43-47页 |
| ·行译码电路 | 第44页 |
| ·列译码电路 | 第44-47页 |
| 第四章 SRAM控制电路 | 第47-61页 |
| ·地址猝发器 | 第47-49页 |
| ·高速写电路 | 第49-50页 |
| ·高速写脉冲的产生 | 第49-50页 |
| ·高速写电路实现 | 第50页 |
| ·窗口约束电路 | 第50-53页 |
| ·普通写下窗口范围 | 第51-52页 |
| ·高速写下窗口范围 | 第52-53页 |
| ·访存时序冲突解决电路 | 第53-61页 |
| ·SRAM访问时序 | 第53-55页 |
| ·MPU操作优先冲突解决方案 | 第55-61页 |
| 第五章 仿真验证 | 第61-67页 |
| ·仿真模型 | 第61-62页 |
| ·仿真流程 | 第62-63页 |
| ·仿真结果 | 第63-66页 |
| ·测试模组 | 第66-67页 |
| 第六章 结束语 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-71页 |
| 发表论文和参加科研情况 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
