光学频率转换防伪检测光电接收集成芯片的研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-12页 |
| ·课题的研究背景和意义 | 第7-9页 |
| ·光学频率转换防伪检测技术的集成化 | 第9-10页 |
| ·课题组前一阶段研究成果 | 第10-11页 |
| ·论文主要研究工作 | 第11-12页 |
| 第二章 光电探测器的一般理论研究 | 第12-19页 |
| ·光电探测器 | 第12-13页 |
| ·光电探测器的物理机制 | 第12页 |
| ·光电探测器的特性参数 | 第12-13页 |
| ·光电探测器件的材料 | 第13-16页 |
| ·光电探测器件的结构 | 第16-18页 |
| ·光电探测器的基本结构 | 第16页 |
| ·新型半导体探测器件 | 第16-18页 |
| ·本章小结 | 第18-19页 |
| 第三章 光电集成检测器件中探测器的混合集成 | 第19-27页 |
| ·光电探测器集成化的发展 | 第19-22页 |
| ·光电探测器的混合集成技术 | 第19-21页 |
| ·光电探测器的单片集成技术 | 第21-22页 |
| ·用于集成检测器件中的接收芯片设计 | 第22-26页 |
| ·光电接收芯片集成的方式 | 第22-23页 |
| ·基于PLC的混合集成技术简介 | 第23-24页 |
| ·接收芯片的材料设计 | 第24-25页 |
| ·接收芯片的结构选择和分析 | 第25-26页 |
| ·本章小结 | 第26-27页 |
| 第四章 光电集成检测器件中探测器的仿真研究 | 第27-51页 |
| ·器件的材料模拟设计 | 第27-31页 |
| ·CASTEP软件介绍 | 第28-30页 |
| ·模拟方法 | 第30-31页 |
| ·GaAsP混晶材料特性研究 | 第31-41页 |
| ·GaAsP混晶的晶体结构和能带结构 | 第31-36页 |
| ·GaAsP电子态密度分布及其对掺杂的影响 | 第36-37页 |
| ·GaAsP材料的光学特性 | 第37-40页 |
| ·材料异质结构与晶格常数 | 第40-41页 |
| ·接收芯片模拟仿真设计 | 第41-50页 |
| ·Silvaco ATLAS软件介绍 | 第42页 |
| ·PN结位置设计 | 第42-44页 |
| ·PIN结构设计 | 第44-47页 |
| ·APD结构的设计 | 第47-49页 |
| ·接收芯片的结构模型 | 第49-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第五章 集成检测器件的光学设计及集成器件样品实验 | 第51-61页 |
| ·光学设计分析 | 第51-58页 |
| ·常用光学薄膜及分析 | 第51-54页 |
| ·光学滤波的设计 | 第54-57页 |
| ·光学透镜设计 | 第57-58页 |
| ·集成器件样品实验 | 第58-60页 |
| ·样品加工要求 | 第58页 |
| ·样品测试结果与分析 | 第58-60页 |
| ·本章小结 | 第60-61页 |
| 第六章 总结与展望 | 第61-63页 |
| ·论文主要工作内容 | 第61页 |
| ·论文的主要创新点 | 第61-62页 |
| ·研究展望 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68页 |
