氮化铟一维纳/微米结构的可控制备和表征
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-43页 |
| ·半导体发光材料中的InN | 第10-11页 |
| ·InN半导体的研究历程 | 第11-13页 |
| ·InN半导体的基本特征 | 第13-16页 |
| ·晶体结构及缺陷 | 第13-14页 |
| ·能带结构 | 第14-16页 |
| ·InN半导体的基本物性 | 第16-24页 |
| ·热学性质 | 第16-17页 |
| ·光学性质 | 第17-22页 |
| ·电学性质 | 第22-24页 |
| ·InN半导体的一维纳米结构 | 第24-31页 |
| ·纳米材料特性及应用 | 第24-27页 |
| ·InN一维纳米结构材料及合成 | 第27-29页 |
| ·InN纳米结构物性表征 | 第29-31页 |
| ·开展一维InN纳米结构研究的内容及意义 | 第31-32页 |
| 参考文献 | 第32-43页 |
| 第二章 一维InN纳米/微米结构的控制合成 | 第43-79页 |
| ·引言 | 第43-44页 |
| ·实验装置与表征设备 | 第44-46页 |
| ·InN纳米线的合成、表征与生长机理 | 第46-60页 |
| ·生长条件 | 第46页 |
| ·结构表征 | 第46-51页 |
| ·反应参数对纳米线生长的影响 | 第51-58页 |
| ·生长机理 | 第58-60页 |
| ·InN纳米带的合成、表征与生长机理 | 第60-70页 |
| ·生长条件 | 第60页 |
| ·结构表征 | 第60-63页 |
| ·反应时间对纳米带生长的影响 | 第63-65页 |
| ·生长机理 | 第65-70页 |
| ·InN微米管的合成、表征与生长机理 | 第70-74页 |
| ·生长条件 | 第70页 |
| ·结构表征 | 第70-73页 |
| ·生长机理 | 第73-74页 |
| ·本章小结 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-79页 |
| 第三章 InN纳米/微米结构的物性表征 | 第79-104页 |
| ·引言 | 第79页 |
| ·Raman散射 | 第79-83页 |
| ·Raman散射的特征模 | 第79-81页 |
| ·Raman散射的温度效应 | 第81-83页 |
| ·InN纳米/微米结构的发光性质 | 第83-89页 |
| ·宽带隙(E_g>1.5eV)发光 | 第83-85页 |
| ·窄带隙(E_g<1.0eV)发光 | 第85-89页 |
| ·InN纳米结构的光吸收表征 | 第89-95页 |
| ·InN纳米线的电输运性质 | 第95-97页 |
| ·InN纳米结构的热稳定性和氧化性 | 第97-98页 |
| ·本章小结 | 第98-99页 |
| 参考文献 | 第99-104页 |
| 第四章 InN纳米/微米结构的控制氧化 | 第104-124页 |
| ·引言 | 第104-105页 |
| ·实验装置与表征设备 | 第105-106页 |
| ·InN纳米线的控制氧化过程 | 第106-109页 |
| ·In_2O_3/InN复合纳米结构 | 第109-111页 |
| ·结构表征 | 第109-110页 |
| ·发光研究 | 第110-111页 |
| ·InN纳米线、纳米带的结构复制 | 第111-114页 |
| ·InN纳米线 | 第111-113页 |
| ·InN纳米带 | 第113-114页 |
| ·InN微米管的氧化行为及性质表征 | 第114-118页 |
| ·In_2O_3纳米/微米结构的再次氮化 | 第118-119页 |
| ·本章小结 | 第119-120页 |
| 参考文献 | 第120-124页 |
| 第五章 主要结论 | 第124-125页 |
| 攻读博士学位期间发表和完成论文目录 | 第125-127页 |
| 致谢 | 第127页 |
