| 摘要 | 第1-10页 |
| Abstract | 第10-14页 |
| 第一章 前言 | 第14-17页 |
| 第二章 文献综述 | 第17-43页 |
| ·ZnO的基本性质 | 第17-18页 |
| ·纳米材料的特性及纳米ZnO研究概述 | 第18-20页 |
| ·纳米材料的特性 | 第18-19页 |
| ·纳米ZnO研究概述 | 第19-20页 |
| ·纳米ZnO的制备方法 | 第20-26页 |
| ·热蒸发法 | 第21-23页 |
| ·水热和溶剂热法 | 第23-24页 |
| ·模板限制辅助生长法 | 第24页 |
| ·金属有机物化学气相沉积 | 第24-25页 |
| ·其它制备方法 | 第25-26页 |
| ·ZnO的掺杂/多元合金化合物 | 第26-28页 |
| ·ZnO一维纳米材料的应用 | 第28-34页 |
| ·ZnO传输特性 | 第28-29页 |
| ·ZnO纳米传感器 | 第29-30页 |
| ·ZnO纳米激光器 | 第30-31页 |
| ·ZnO纳米阵列场发射阴极 | 第31-33页 |
| ·纳米发电机 | 第33-34页 |
| ·本部分立题依据 | 第34-35页 |
| 参考文献 | 第35-43页 |
| 第三章 实验原理、过程和测试仪器 | 第43-48页 |
| ·实验原理和过程 | 第43-44页 |
| ·热蒸发法 | 第43-44页 |
| ·测试仪器及方法 | 第44-48页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第44-45页 |
| ·场发射扫描电镜(FESEM) | 第45-46页 |
| ·透射电子显微镜(TEM) | 第46页 |
| ·拉曼光谱(Raman) | 第46-47页 |
| ·光致发光谱和光致激发谱(PL&PLE) | 第47-48页 |
| 第四章 ZnO纳米棒及其微纳米结构的生长研究 | 第48-64页 |
| ·辐射状与准阵列的ZnO纳米棒的生长研究 | 第48-54页 |
| ·生长过程 | 第48页 |
| ·结果和讨论 | 第48-54页 |
| ·棒球棒状ZnO纳米棒的生长研究 | 第54-58页 |
| ·性能分析 | 第54-57页 |
| ·生长机制分析 | 第57-58页 |
| ·球形微纳米复合结构的生长 | 第58-62页 |
| ·生长过程 | 第58页 |
| ·性能分析 | 第58-60页 |
| ·生长机制分析 | 第60-62页 |
| ·本章小结 | 第62页 |
| 参考文献 | 第62-64页 |
| 第五章 掺Al的ZnO亚微米棒的生长及其性能研究 | 第64-83页 |
| ·实验过程 | 第64页 |
| ·结果表征与讨论 | 第64-79页 |
| ·形貌及晶体结构性能分析 | 第64-67页 |
| ·ZnO亚微米棒的电学性能分析 | 第67-68页 |
| ·ZnO亚微米棒的光学性能研究 | 第68-79页 |
| ·本章小结 | 第79页 |
| 参考文献 | 第79-83页 |
| 第六章 ZnO纳米阵列场发射原型器件的研究 | 第83-93页 |
| ·实验装置及测试方法 | 第83-85页 |
| ·纯ZnO和掺Al的ZnO纳米阵列场发射性能比较 | 第85-87页 |
| ·掺Al的ZnO纳米阵列场发射性能的优化 | 第87-89页 |
| ·场致发射显示原型器件以及稳定性测试 | 第89-90页 |
| ·本章小结 | 第90-91页 |
| 参考文献 | 第91-93页 |
| 第七章 ZnMgO与ZnCdO微纳米结构 | 第93-107页 |
| ·树枝状ZnMgO纳米结构的生长研究 | 第93-99页 |
| ·实验过程 | 第93-94页 |
| ·结果和讨论 | 第94-99页 |
| ·自催化宝塔状ZnCdO亚微米棒的生长 | 第99-103页 |
| ·实验过程 | 第99-100页 |
| ·结果表征与讨论 | 第100-103页 |
| ·本章小结 | 第103-104页 |
| 参考文献 | 第104-107页 |
| 第八章 Si基GaN的MOCVD生长研究 | 第107-138页 |
| ·GaN的基本性质 | 第107-108页 |
| ·GaN材料的生长技术及金属有机物化学气相沉积简介 | 第108页 |
| ·Si基GaN的生长、LED的进展及研究目的 | 第108-110页 |
| ·Si基GaN生长所采用的方法 | 第108-109页 |
| ·Si基GaN发光二极管(LED)进展 | 第109页 |
| ·研究目的 | 第109-110页 |
| ·自研MOCVD设备 | 第110-112页 |
| ·自研MOCVD设备简介 | 第110-111页 |
| ·MOCVD设备的优化设计 | 第111-112页 |
| ·Si基GaN的MOCVD生长研究 | 第112-133页 |
| ·GaN外延生长工艺 | 第112-114页 |
| ·AIN缓冲层的生长研究 | 第114-117页 |
| ·载气对GaN生长的影响 | 第117-120页 |
| ·多缓冲层的研究 | 第120-124页 |
| ·GaN生长模式的探讨 | 第124-126页 |
| ·GaN外延膜内应力的研究 | 第126-128页 |
| ·GaN外延层中的位错密度分析 | 第128-130页 |
| ·GaN与Si(111)外延关系的研究 | 第130-133页 |
| ·本章小结 | 第133-134页 |
| 参考文献 | 第134-138页 |
| 第九章 总结 | 第138-140页 |
| 致谢 | 第140-141页 |
| 博士期间发表和提交论文一览表 | 第141-142页 |
| 作为主要作者或合作者发表的期刊论文 | 第141-142页 |
| 会议论文 | 第142页 |
| 作为主要作者或合作者提交论文: | 第142页 |