| 摘 要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 概述 | 第9-18页 |
| ·热释电发展简介 | 第9-10页 |
| ·热释电效应及其应用 | 第10-11页 |
| ·BST 薄膜结构及其应用 | 第11-14页 |
| ·BST 热释电薄膜漏电流研究意义及现状 | 第14-17页 |
| ·本论文的主要工作 | 第17-18页 |
| 第二章 理论分析 | 第18-30页 |
| ·固体中的电输运理论 | 第18-26页 |
| ·空间电荷限制电流 | 第18-23页 |
| ·热电子发射 | 第23-24页 |
| ·肖特基发射 | 第24-25页 |
| ·隧穿发射 | 第25-26页 |
| ·电介质击穿理论 | 第26-30页 |
| 第三章 实验方法 | 第30-39页 |
| ·BST 薄膜样品的制备 | 第30-33页 |
| ·铁电薄膜的制备方法 | 第30-31页 |
| ·BST 薄膜的制备 | 第31-32页 |
| ·BST 薄膜上电极的制备 | 第32-33页 |
| ·漏电流测试系统及测试方法 | 第33-39页 |
| ·漏电流测试系统简介 | 第33-34页 |
| ·温度控制系统的设计与制备 | 第34-36页 |
| ·测试方法和条件讨论 | 第36-39页 |
| 第四章 BST 薄膜漏电流研究 | 第39-54页 |
| ·BST 薄膜漏电流机理研究 | 第39-43页 |
| ·BST 薄膜 J-V 特性分析 | 第39-41页 |
| ·BST 薄膜 J-t 特性分析 | 第41-42页 |
| ·BST薄膜J-V特性和J-t特性的关系 | 第42-43页 |
| ·不对称电极对BST 薄膜漏电流影响 | 第43-49页 |
| ·不对称电极对BST 薄膜J-V 特性的影响 | 第44页 |
| ·不对称电极对BST 薄膜J-t 特性的影响 | 第44-45页 |
| ·上电极氧空位对J-t 特性的影响 | 第45-49页 |
| ·BST 薄膜漏电流温度特性研究 | 第49-53页 |
| ·BST 薄膜欧姆导电区漏电流温度特性研究 | 第50-51页 |
| ·BST 薄膜空间电荷限制电流区漏电流温度特性研究 | 第51-53页 |
| ·小结 | 第53-54页 |
| 第五章 BST 薄膜击穿研究 | 第54-71页 |
| ·BST 薄膜瞬时介电击穿研究 | 第54-60页 |
| ·BST 薄膜传统击穿状态研究 | 第54-56页 |
| ·BST 薄膜初始击穿状态研究 | 第56-59页 |
| ·BST 薄膜瞬时介电击穿机制的建立与讨论 | 第59-60页 |
| ·BST 薄膜经时介电击穿研究 | 第60-69页 |
| ·BST 薄膜软击穿和硬击穿现象 | 第60-64页 |
| ·BST 薄膜软击穿和硬击穿机理分析 | 第64-68页 |
| ·BST 薄膜经时介电击穿机制的建立与讨论 | 第68-69页 |
| ·小结 | 第69-71页 |
| 第六章 通过漏电流特性对 BST 薄膜微观信息的计算方法 | 第71-80页 |
| ·BST 薄膜陷阱密度计算 | 第71-77页 |
| ·漏电流温度特性法计算BST 薄膜陷阱空间密度 | 第71-73页 |
| ·等温电流衰减法计算BST 薄膜陷阱空间密度 | 第73-76页 |
| ·BST 薄膜陷阱在能带上密度分布计算 | 第76-77页 |
| ·BST 薄膜费米能级计算 | 第77-79页 |
| ·小结 | 第79-80页 |
| 第七章 结论 | 第80-81页 |
| 致谢 | 第81-82页 |
| 参考文献 | 第82-86页 |
| 个人简历及在学期间研究成果 | 第86页 |