| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 第一章 引言 | 第11-13页 |
| 第二章 文献综述 | 第13-30页 |
| ·中红外波段锑化物半导体激光器 | 第13-19页 |
| ·InGaAsSb红外探测器 | 第19-20页 |
| ·Ⅲ-Ⅴ半导体材料干法刻蚀工艺 | 第20-26页 |
| ·干法刻蚀的作用过程 | 第21-22页 |
| ·几种干法刻蚀技术 | 第22-25页 |
| ·锑化物材料干法刻蚀的发展 | 第25-26页 |
| ·本章小结 | 第26-30页 |
| 第三章锑化物半导体材料的湿法刻蚀研究 | 第30-39页 |
| ·引言 | 第30-31页 |
| ·刻蚀的参数及要求 | 第31-33页 |
| ·图形转移保真度 | 第31-32页 |
| ·选择比 | 第32-33页 |
| ·均匀性 | 第33页 |
| ·湿法腐蚀反应机制 | 第33-34页 |
| ·实验方法 | 第34-35页 |
| ·实验结果和讨论 | 第35-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 第四章 锑化物及其相关材料干法刻蚀研究 | 第39-52页 |
| ·引言 | 第39-40页 |
| ·ICP-98C干法刻蚀系统及刻蚀流程介绍 | 第40页 |
| ·GaAs、GaSb、InP和InAs的反应离子刻蚀研究 | 第40-46页 |
| ·锑化物材料的 ICP刻蚀 | 第46-51页 |
| ·实验方法 | 第46-47页 |
| ·实验结果和讨论 | 第47-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第五章 电化学 C-V测量技术研究 | 第52-66页 |
| ·电化学C-V测量原理 | 第52-55页 |
| ·半导体-电解液界面模型 | 第52-53页 |
| ·EC-V测量技术的原理和发展 | 第53-55页 |
| ·电化学C-V测量系统 | 第55-57页 |
| ·电化学C-V测量参数 | 第57-60页 |
| ·电解液 | 第57-58页 |
| ·测量模式 | 第58页 |
| ·测量电压 | 第58-59页 |
| ·平带势 | 第59页 |
| ·耗散因子 | 第59页 |
| ·德拜长度 | 第59-60页 |
| ·锑化物材料的 ECV测量 | 第60-63页 |
| ·超浅结 Si材料的ECV测量 | 第63-65页 |
| ·实验方法 | 第63页 |
| ·实验结果和讨论 | 第63-65页 |
| ·本章小结 | 第65-66页 |
| 第六章 结论 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-72页 |
| 发表文章 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 简历 | 第74页 |