超低静态电流放大器的设计
| 第1章 绪论 | 第1-14页 |
| ·引言 | 第8-10页 |
| ·选题背景及意义 | 第10-11页 |
| ·背景 | 第10-11页 |
| ·意义 | 第11页 |
| ·当前研究情况 | 第11-12页 |
| ·本论文的工作 | 第12-14页 |
| 第2章 MOS模拟集成电路基础 | 第14-27页 |
| ·MOSFET的伏安工作特性 | 第14-17页 |
| ·增强型NMOSFET特性 | 第14-17页 |
| ·耗尽型NMOSFET特性 | 第17页 |
| ·MOS交流小信号等效模型 | 第17-27页 |
| ·采用电阻负载的共源极 | 第17-19页 |
| ·采用二极管连接的负载的共源极 | 第19-21页 |
| ·采用电流源负载的共源极 | 第21页 |
| ·源跟随器 | 第21-23页 |
| ·共栅极 | 第23-25页 |
| ·共源共栅极 | 第25-27页 |
| 第3章 MOS模拟电路基本模块 | 第27-38页 |
| ·有源负载 | 第27-28页 |
| ·MOS管电流源 | 第28-32页 |
| ·MOS电流镜 | 第28-30页 |
| ·威尔逊电流源 | 第30-31页 |
| ·几何比例电流源 | 第31-32页 |
| ·MOS输出级电路 | 第32-38页 |
| ·源跟随器 | 第32-33页 |
| ·CMOS AB类输出级 | 第33-35页 |
| ·一种BiCMOS工艺的AB类输出级 | 第35-38页 |
| 第4章 超低静态电流放大器的设计与仿真 | 第38-63页 |
| ·模拟集成运算放大器的设计原理 | 第38-41页 |
| ·本文的误差放大器设计 | 第41-50页 |
| ·设计指标 | 第41-42页 |
| ·设计思路 | 第42-47页 |
| ·本文误差放大器的电路结构 | 第47-50页 |
| ·本文误差放大器的仿真 | 第50-58页 |
| ·一种低压微功耗放大器电路 | 第58-62页 |
| ·该文误差放大器的仿真 | 第59-62页 |
| ·上述两种放大器比较 | 第62-63页 |
| 结论 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-68页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第68页 |
