| 摘要 | 第1-10页 |
| Abstract | 第10-16页 |
| 第1章 前言 | 第16-34页 |
| 1．1 引言 | 第16页 |
| 1．2 Cd_(1-x)Zn_xTe材料的应用前景 | 第16-21页 |
| 1．2．1 半导体探测器对材料的要求 | 第17-19页 |
| 1．2．2 Cd_(1-x)Zn_xTe晶体的晶体特性 | 第19-21页 |
| 1．3 Cd_(1-x)Zn_xTe晶体生长方法简介 | 第21-25页 |
| 1．3．1 从熔体中生长 | 第21-24页 |
| 1．3．2 从溶液中生长 | 第24页 |
| 1．3．3 气相生长法 | 第24-25页 |
| 1．4 Cd_(1-x)Zn_xTe晶体生长的最新研究进展 | 第25-27页 |
| 1．5 目前存在的困难和需解决的问题 | 第27-29页 |
| 1．5．1 材料提纯 | 第27页 |
| 1．5．2 工艺参数优化 | 第27-28页 |
| 1．5．3 分压控制 | 第28页 |
| 1．5．4 掺杂技术 | 第28-29页 |
| 1．5．5 热处理研究 | 第29页 |
| 1．6 本文主要研究内容 | 第29-30页 |
| 本章参考文献 | 第30-34页 |
| 第2章 Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶体生长的有限元模拟 | 第34-53页 |
| 2．1 引言 | 第34页 |
| 2．2 有限元法简介 | 第34-36页 |
| 2．3 ANSYS模拟晶体生长的过程 | 第36-42页 |
| 2．3．1 晶体生长模型描述 | 第36-38页 |
| 2．3．2 模拟过程所用的主要方程 | 第38页 |
| 2．3．3 相变模型 | 第38-39页 |
| 2．2．4 炉温分布函数及其它参数 | 第39-42页 |
| 2．4 结果与讨论分析 | 第42-50页 |
| 2．4．1 模拟结果与讨论 | 第42-48页 |
| 2．4．2 实验结果与分析 | 第48-50页 |
| 2．5 本章小结 | 第50-51页 |
| 本章参考文献 | 第51-53页 |
| 第3章 Cd_(1-x)Zn_xTe和Cd_(1-x)Zn_x熔体平衡蒸汽压的热力学研究 | 第53-63页 |
| 3．1 引言 | 第53页 |
| 3．2 Cd_(1-x)Zn_xTe熔体平衡蒸汽压估算 | 第53-58页 |
| 3．3 Cd_(1-x)Zn_x熔体平衡蒸汽压估算 | 第58-61页 |
| 3．4 本章小结 | 第61-62页 |
| 本章参考文献 | 第62-63页 |
| 第4章 分压控制下的Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶体生长及其性能表征 | 第63-80页 |
| 4．1 引言 | 第63页 |
| 4．2 合成及提纯 | 第63-67页 |
| 4．2．1 CdTe和ZnTe多晶料的合成 | 第63-65页 |
| 4．2．2 CdTe及ZnTe合成材料的气相输运提纯 | 第65-67页 |
| 4．3 分压控制下的Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶体生长 | 第67-69页 |
| 4．3．1 晶体生长过程 | 第67-68页 |
| 4．3．2 Cd_(1-x)Zn_xTe晶体生长过程温度及分压控制过程参数的选择 | 第68-69页 |
| 4．4 Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶体的性能表征 | 第69-78页 |
| 4．4．1 Cd_(1-x)Zn_xTe晶体的完整性和结晶质量 | 第69-71页 |
| 4．4．2 Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶体组成分析 | 第71-73页 |
| 4．4．3 Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶体电学性质 | 第73-75页 |
| 4．4．4 Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶体光学性质 | 第75-76页 |
| 4．4．5 晶体中的位错密度 | 第76-78页 |
| 4．5 本章小结 | 第78页 |
| 本章参考文献 | 第78-80页 |
| 第5章 Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶体在Cd、Zn气氛下以及In气氛下的热处理研究 | 第80-100页 |
| 5．1 引言 | 第80页 |
| 5．2 理论基础 | 第80-83页 |
| 5．2．1 高温CdTe晶体相图的精细结构及退火温度的上限 | 第81页 |
| 5．2．2 Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶体平衡蒸汽压的确定和控制 | 第81-83页 |
| 5．3 在Cd、Zn气氛下对Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶片的热处理研究 | 第83-91页 |
| 5．3．1 实验 | 第83-84页 |
| 5．3．2 在Cd、Zn气氛下热处理对Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te高阻晶片性能的影响 | 第84-87页 |
| 5．3．3 在Cd、Zn气氛下热处理对Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te低阻晶片性能的影响 | 第87-91页 |
| 5．4 Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶体的掺In扩散热处理 | 第91-98页 |
| 5．4．1 实验过程 | 第91-93页 |
| 5．4．2 Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶体掺In热处理后的电学性能变化 | 第93-97页 |
| 5．4．3 Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶体掺In热处理后其它性能的变化 | 第97-98页 |
| 5．5 本章小结 | 第98页 |
| 本章参考文献 | 第98-100页 |
| 第6章 Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶体热处理过程中扩散行为研究 | 第100-117页 |
| 6．1 引言 | 第100页 |
| 6．2 热处理过程中Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶体电阻率和导电类型变化的模型 | 第100-106页 |
| 6．2．1 Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶体热处理过程中的扩散机制 | 第100-103页 |
| 6．2．2 在In气氛热处理过程的电阻率和导电类型变化模型 | 第103-106页 |
| 6．3 In在Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶体中的扩散系数以及激活能的估算 | 第106-111页 |
| 6．4 Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶片热处理后电阻率和导电类型变化的分析 | 第111-115页 |
| 6．5 本章小结 | 第115-116页 |
| 本章参考文献 | 第116-117页 |
| 第7章 主要结论 | 第117-120页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文 | 第120-121页 |
| 致谢 | 第121页 |
