| 中文摘要 | 第1-6页 |
| 第一章 绪论 | 第6-13页 |
| 1．1 半导体表面研究的现实意义 | 第6页 |
| 1．2 表面电子态研究的进展 | 第6-8页 |
| 1．3 研究半导体表面电子结构所用理论方法 | 第8-9页 |
| 1．4 本文的研究目的 | 第9-13页 |
| 第二章 理论方法简介 | 第13-20页 |
| 2．1 基本公式 | 第13-14页 |
| 2．2 半导体体能带的描述 | 第14-16页 |
| 2．3 理想表面的产生 | 第16-17页 |
| 2．4 表面投影技术 | 第17-20页 |
| 第三章 Ge（313）表面电子特性研究 | 第20-30页 |
| 3．1 引言 | 第20-21页 |
| 3．2 表面原子结构和表面布里渊区 | 第21-22页 |
| 3．3 结果分析与讨论 | 第22-28页 |
| 3．3．1 表面态的色散关系 | 第22-24页 |
| 3．3．2 波矢分辨的层态密度分析 | 第24-28页 |
| 3．4 与Si（313）表面电子能带结构比较 | 第28页 |
| 3．5 结论 | 第28-30页 |
| 第四章 InSb（211）表面电子特性研究 | 第30-42页 |
| 4．1 引言 | 第30-31页 |
| 4．2 InSb（211）A\B表面原子结构和表面布里渊区 | 第31-32页 |
| 4．3 结果分析与讨论 | 第32-38页 |
| 4．3．1 表面投影带结构 | 第32-35页 |
| 4．3．2 波矢分辨的层态密度分析 | 第35-38页 |
| 4．4 和实验结果比较 | 第38-39页 |
| 4．5 结论 | 第39-42页 |
| 第五章 GaAs（311）表面电子特性研究 | 第42-63页 |
| 5．1 引言 | 第42-43页 |
| 5．2 GaAs（311）A\B表面原子结构和表面布里渊区 | 第43-45页 |
| 5．3 结果与讨论 | 第45-60页 |
| 5．3．1 IBA类型的GaAs（311）理想表面电子结构计算 | 第45-50页 |
| 5．3．2 MBE方法制备的GaAs（311）理想表面电子结构计算 | 第50-55页 |
| 5．3．3 IBA类型的GaAs（311）A弛豫表面电子结构计算 | 第55页 |
| 5．3．4 IBA类型的GaAs（311）A再构表面电子结构计算 | 第55-60页 |
| 5．4 结论 | 第60-63页 |
| 第六章 结论 | 第63-65页 |
