空气氧化法制备VO2及掺钨氧化钒薄膜的研究
| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-11页 |
| 第一章 引言 | 第11-24页 |
| ·研究背景 | 第11页 |
| ·VO_2的晶体结构和相变特性 | 第11-18页 |
| ·VO_2晶体结构与能带结构 | 第12-15页 |
| ·VO_2的相变性质 | 第15-17页 |
| ·应用前景 | 第17-18页 |
| ·VO_2主要制备方法及比较 | 第18-21页 |
| ·蒸发法 | 第19页 |
| ·溅射法 | 第19-20页 |
| ·溶胶-凝胶法(Sol-Gel) | 第20页 |
| ·金属-有机化学气相沉积(MOCVD) | 第20页 |
| ·脉冲激光沉积(PLD) | 第20-21页 |
| ·VO_2的掺杂理论和掺杂方法 | 第21-24页 |
| ·掺杂理论 | 第21-22页 |
| ·掺杂方法 | 第22-24页 |
| 第二章 本文研究的主要出发点和技术路线 | 第24-27页 |
| ·空气氧化法制备VO_2薄膜 | 第25页 |
| ·基于空气氧化法的VO_2薄膜掺杂 | 第25-27页 |
| 第三章 空气氧化法制备VO_2薄膜 | 第27-52页 |
| ·实验仪器 | 第27-31页 |
| ·磁控溅射镀膜仪 | 第27-29页 |
| ·箱式电阻炉 | 第29-30页 |
| ·电学测试平台 | 第30-31页 |
| ·实验 | 第31-32页 |
| ·镀膜前的准备工作 | 第31-32页 |
| ·金属钒薄膜的制备 | 第32页 |
| ·金属钒薄膜的氧化 | 第32页 |
| ·薄膜性质的表征 | 第32页 |
| ·结果与讨论 | 第32-50页 |
| ·金属钒薄膜的氧化过程 | 第32-34页 |
| ·氧化过程的XRD分析 | 第34-37页 |
| ·薄膜电阻随温度变化关系 | 第37-38页 |
| ·临界点的寻找 | 第38-40页 |
| ·薄膜氧化过程的模型分析 | 第40-44页 |
| ·金属钒薄膜的致密度 | 第44-46页 |
| ·薄膜相变温度点的分析 | 第46-47页 |
| ·薄膜热回滞曲线宽度的分析 | 第47-50页 |
| ·薄膜的颜色 | 第50页 |
| ·薄膜的电阻温度系数(TCR) | 第50页 |
| ·本章小结 | 第50-52页 |
| 第四章 基于空气氧化法制备VO_2薄膜的掺杂研究 | 第52-60页 |
| ·实验仪器 | 第52页 |
| ·实验步骤 | 第52页 |
| ·结果与讨论 | 第52-59页 |
| ·样品A | 第54-55页 |
| ·样品B | 第55-56页 |
| ·样品C | 第56-58页 |
| ·样品D | 第58-59页 |
| ·讨论 | 第59页 |
| ·小结 | 第59-60页 |
| 第五章 结论与展望 | 第60-62页 |
| ·结论 | 第60-61页 |
| ·展望 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-68页 |
| 攻读硕士期间的研究成果 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
