富硅碳化硅薄膜的制备与表征
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 引言 | 第8-9页 |
| 1 绪论 | 第9-13页 |
| ·半导体发光材料概述 | 第9-10页 |
| ·Si/SiC_x薄膜材料的研究意义 | 第10-12页 |
| ·本论文的工作内容 | 第12-13页 |
| 2 薄膜的制备与表征方法 | 第13-25页 |
| ·溅射镀膜原理 | 第13-15页 |
| ·MW-ECR等离子体增强非平衡磁控溅射技术 | 第15-18页 |
| ·微波电子回旋共振等离子体源的原理及特点 | 第15-16页 |
| ·MW-ECR等离子体增强非平衡磁控溅射装置 | 第16-18页 |
| ·富硅碳化硅薄膜的制备流程 | 第18-19页 |
| ·实验前准备 | 第18-19页 |
| ·实验过程 | 第19页 |
| ·薄膜测试与表征方法 | 第19-25页 |
| ·台阶仪 | 第19-20页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第20-21页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS) | 第21-22页 |
| ·傅里叶变换红外光谱(FT-IR) | 第22-23页 |
| ·光致发光谱(PL) | 第23-25页 |
| 3 射频非平衡磁控溅射法制备富硅碳化硅薄膜 | 第25-34页 |
| ·实验 | 第25-26页 |
| ·富硅碳化硅薄膜的沉积速率 | 第26-27页 |
| ·红外吸收光谱分析 | 第27-29页 |
| ·室温下制备薄膜的红外吸收光谱分析 | 第27-28页 |
| ·退火后处理薄膜的红外吸收光谱分析 | 第28-29页 |
| ·X-射线电子能谱(XPS)分析 | 第29-30页 |
| ·光致发光光谱分析(PL) | 第30-33页 |
| ·室温下制备薄膜的PL谱 | 第31-32页 |
| ·退火后处理薄膜的PL谱 | 第32-33页 |
| ·本章结论 | 第33-34页 |
| 4 高压脉冲非平衡磁控溅射法制备富硅碳化硅薄膜 | 第34-48页 |
| ·实验 | 第34页 |
| ·红外吸收光谱分析(FT-IR) | 第34-37页 |
| ·室温下制备薄膜的FT-IR分析 | 第35-36页 |
| ·退火后处理薄膜的FT-IR分析 | 第36-37页 |
| ·X射线衍射(XRD)分析 | 第37-38页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS)分析 | 第38-42页 |
| ·光致发光谱(PL)分析 | 第42-43页 |
| ·退火条件对薄膜结构和性能的影响 | 第43-46页 |
| ·退火温度对薄膜结构的影响 | 第44-46页 |
| ·退火温度对薄膜发光性能的影响 | 第46页 |
| ·本章结论 | 第46-48页 |
| 结论 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-53页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
