聚合物波导光栅耦合器设计研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-18页 |
| ·光栅耦合器国内外研究现状 | 第9-10页 |
| ·波导光栅耦合器与其他耦合方式比较 | 第10页 |
| ·有机聚合物材料的优点 | 第10-11页 |
| ·不同材料制备波导光栅耦合器 | 第11-16页 |
| ·SOI硅绝缘体波导光栅耦合器 | 第11-13页 |
| ·磷化铟薄膜波导光栅耦合器 | 第13-15页 |
| ·聚合物基波导光栅耦合器 | 第15-16页 |
| ·波导光栅耦合器在微环传感器中的应用 | 第16-18页 |
| 2 波导光栅耦合器的基本理论 | 第18-28页 |
| ·波导光栅耦合器的基本理论 | 第18-21页 |
| ·波导光栅耦合器的基本结构 | 第18-20页 |
| ·具有高折射率上包层的波导光栅耦合器 | 第20-21页 |
| ·波导光栅耦合器的基本特性参数 | 第21-25页 |
| ·布拉格光栅 | 第22-23页 |
| ·波导光栅耦合器耦合效率 | 第23-25页 |
| ·波导光栅耦合器的主要结构参数 | 第25-28页 |
| 3 波导光栅耦合器的数值模拟及设计 | 第28-57页 |
| ·本征模扩展法(camfr) | 第28-29页 |
| ·有限时域差分法(FDTD) | 第29页 |
| ·红外光1550nm波导光栅耦合器结构参数设计 | 第29-52页 |
| ·波导芯层刻蚀光栅参数设计 | 第30-35页 |
| ·增加高折射率上包层的波导芯层光栅 | 第35-40页 |
| ·增加高折射率聚合物上包层的波导芯层光栅 | 第40-46页 |
| ·增加SiN高折射率上包层的波导下包层光栅 | 第46-51页 |
| ·不同结构的波导光栅耦合器比较 | 第51-52页 |
| ·近红外光850nm波导光栅耦合器结构参数设计 | 第52-57页 |
| 4. 波导光栅耦合器制备工艺研究 | 第57-66页 |
| ·压印模板制备工艺 | 第57-59页 |
| ·扫描电子束刻蚀法 | 第57-58页 |
| ·紫外光刻蚀法 | 第58-59页 |
| ·微纳器件制备 | 第59-62页 |
| ·微纳压印 | 第59-61页 |
| ·聚合物波导光栅耦合器的其他制备方法 | 第61-62页 |
| ·高折射率包层沉积工艺 | 第62-66页 |
| ·传统的高折射率包层沉积工艺 | 第63-64页 |
| ·带有SiN包层的波导光栅耦合器制备 | 第64-66页 |
| 5. 实验室测试波导光栅耦合器的耦合效率 | 第66-71页 |
| ·实验室测试平台搭建 | 第66-68页 |
| ·实验室测试耦合效率结果 | 第68-71页 |
| 结论 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-75页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
