| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·FBAR 技术的发展 | 第10-13页 |
| ·FBAR 的基本原理 | 第13-17页 |
| ·压电理论 | 第13-14页 |
| ·FBAR 的基本原理 | 第14-16页 |
| ·FBAR 滤波器的基本原理和模型 | 第16-17页 |
| ·本文的研究内容 | 第17-19页 |
| 第二章 FBAR 中材料的制备方法及表征手段 | 第19-28页 |
| ·FBAR 器件中的材料 | 第19-20页 |
| ·适合于 FBAR 器件的压电材料的选择 | 第19-20页 |
| ·电极材料 | 第20页 |
| ·薄膜材料的多种制备方法 | 第20-24页 |
| ·溅射法 | 第20-22页 |
| ·金属有机物化学气相淀积（MOCVD） | 第22页 |
| ·脉冲激光沉积（PLD） | 第22-23页 |
| ·等离子增强化学气相淀积（PECVD） | 第23-24页 |
| ·薄膜材料的各种表征手段 | 第24-27页 |
| ·X-射线衍射分析（XRD） | 第24-25页 |
| ·原子力显微镜（AFM） | 第25-26页 |
| ·傅立叶变换红外光谱仪（FTIR）设备 | 第26页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM）设备 | 第26-27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 AlN/Al/Si 多层膜的制备与 AlN 结构研究 | 第28-42页 |
| ·薄膜材料的制备 | 第28-29页 |
| ·衬底的清洗步骤 | 第28页 |
| ·磁控溅射法的具体步骤 | 第28-29页 |
| ·实验结果与分析 | 第29-40页 |
| ·后期处理后 AlN 薄膜的形貌结构及分析 | 第29-32页 |
| ·衬底温度不同对 AlN 薄膜形貌影响 | 第32-34页 |
| ·AlN 薄膜的傅里叶红外光谱分析 | 第34-35页 |
| ·靶基距对反应溅射 AlN 薄膜微结构和性能的影响 | 第35-40页 |
| ·本章小结 | 第40-42页 |
| 第四章 ZnO/Al/Si 多层膜的制备与研究 | 第42-49页 |
| ·ZnO/Al/Si 多层膜的制备 | 第42-43页 |
| ·在 Al/Si 上面沉积 ZnO 薄膜及其分析 | 第43-46页 |
| ·后期处理前后 ZnO 薄膜的变化及分析 | 第43-44页 |
| ·不同衬底温度对 ZnO 薄膜定向性及粗糙度的影响 | 第44-46页 |
| ·ZnO 薄膜压电性能的研究 | 第46-48页 |
| ·薄膜的 PFM 测试分析原理 | 第46-47页 |
| ·ZnO 压电薄膜的 PFM 测试 | 第47-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 第五章 全文总结 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-53页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
