| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 致谢 | 第9-11页 |
| 目录 | 第11-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-25页 |
| §1.1 硅纳米光集成器件的背景与现状 | 第13-22页 |
| §1.2 本论文主要内容及创新点 | 第22-25页 |
| §1.2.1 主要内容 | 第22-23页 |
| §1.2.2 创新点 | 第23-25页 |
| 第二章 光波导数值模拟方法 | 第25-47页 |
| §2.1 平板光波导理论 | 第25-29页 |
| §2.2 等效折射率法(Effective Index Method) | 第29-31页 |
| §2.3 标量衍射法(Scalar Integral Diffraction Method) | 第31-32页 |
| §2.4 束传播法(Beam Propagation Method) | 第32-34页 |
| §2.5 时域有限差分法(Finite-Difference Time-Domain Method) | 第34-39页 |
| §2.6 完美匹配层边界条件(Perfectly Matched Layer) | 第39-40页 |
| §2.7 BPM方法与FDTD方法的结合 | 第40-46页 |
| §2.8 本章小结 | 第46-47页 |
| 第三章 光波导器件的制作工艺及测试方法 | 第47-67页 |
| §3.1 集成光波导器件的制作工艺 | 第47-61页 |
| §3.1.1 简介 | 第47-48页 |
| §3.1.2 PECVD长膜 | 第48-51页 |
| §3.1.3 电子束曝光(E-beam Lithography) | 第51-58页 |
| §3.1.3.1 电子束曝光基本原理 | 第51-56页 |
| §3.1.3.2 光刻胶 | 第56-58页 |
| §3.1.4 干法刻蚀(Dry Etching) | 第58-61页 |
| §3.2 集成光波导器件的测试 | 第61-66页 |
| §3.2.1 端面耦合法(End-fire Coupling Method) | 第61-63页 |
| §3.2.2 垂直耦合法(Vertical Coupling Method) | 第63-66页 |
| §3.3 本章小结 | 第66-67页 |
| 第四章 一些硅基纳米光子集成器件(一):蚀刻衍射光栅波分复用器 | 第67-93页 |
| §4.1 EDG的基本原理与设计 | 第67-75页 |
| §4.1.1 EDG的基本原理 | 第67-69页 |
| §4.1.2 EDG的设计方法 | 第69-71页 |
| §4.1.3 EDG的数值模拟计算 | 第71-75页 |
| §4.2 EDG的衍射效率 | 第75-79页 |
| §4.3 EDG器件的一个应用:单纤三向器件(Triplexer) | 第79-84页 |
| §4.4 EDG器件的偏振相关波长偏移(Polarization Dependent Wavelength Shift) | 第84-91页 |
| §4.4.1 集成浅刻蚀偏振补偿区域法 | 第85-88页 |
| §4.4.2 双凹面光栅偏振补偿法 | 第88-91页 |
| §4.5 本章小结 | 第91-93页 |
| 第五章 一些硅基纳米光子集成器件(二):光子晶体器件 | 第93-105页 |
| §5.1 光子晶体(Photonic Crystals) | 第93-104页 |
| §5.1.1 光子晶体基本概念 | 第93-96页 |
| §5.1.2 光子晶体谐振腔 | 第96-104页 |
| §5.2 本章小结 | 第104-105页 |
| 第六章 总结与展望 | 第105-107页 |
| 参考文献 | 第107-117页 |
| 附录:发表的期刊及会议论文 | 第117-118页 |
