| 提要 | 第1-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-30页 |
| ·集成电路测试技术 | 第11-15页 |
| ·工业用集成电路测试技术 | 第11-13页 |
| ·集成电路研发时用测试技术 | 第13-15页 |
| ·电光探测技术 | 第15-21页 |
| ·超短光脉冲电光采样技术 | 第15-18页 |
| ·直流电光探测技术 | 第18页 |
| ·电光探测技术的其它分类 | 第18-21页 |
| ·本论文采用的直流外部电光探测技术 | 第21-24页 |
| ·本论文主要工作 | 第24-26页 |
| 参考文献 | 第26-30页 |
| 第2章 采用极化聚合物用作电光探头材料 | 第30-50页 |
| ·极化聚合物材料研究进展 | 第31-37页 |
| ·极化聚合物的电光效应 | 第31-33页 |
| ·极化聚合物的发展 | 第33-37页 |
| ·电场极化技术和极化仪的研制 | 第37-43页 |
| ·电场极化技术的分类 | 第38-40页 |
| ·本论文研制的钨丝电场极化仪 | 第40-43页 |
| ·聚合物的瞬时极化效应 | 第43-45页 |
| 本章小结 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-50页 |
| 第3章 逆压电效应对电光系数的影响 | 第50-76页 |
| ·聚合物中的压电方程 | 第51-56页 |
| ·应变与应力的关系 | 第51-53页 |
| ·电场对应变的贡献 | 第53-54页 |
| ·应变对薄膜折射率的影响 | 第54-56页 |
| ·逆压电效应对电光系数的影响 | 第56-63页 |
| ·简单反射法测量电光系数 | 第56-58页 |
| ·考虑逆压电效应的电光系数公式 | 第58-63页 |
| ·极化聚合物压电系数的测量 | 第63-70页 |
| ·压电系数的测量方法 | 第63-65页 |
| ·本论文采用的MACH-ZEHNDER 干涉法 | 第65-67页 |
| ·对压电陶瓷和聚合物的逆压电系数的测量 | 第67-70页 |
| 本章小结 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-76页 |
| 第4章 DR1/SiO_2主客掺杂材料的电光特征 | 第76-104页 |
| ·DR1/SiO_2 有机-无机杂化材料的制备 | 第76-83页 |
| ·溶胶-凝胶薄膜制备 | 第76-79页 |
| ·搅拌时温度控制的重要性 | 第79-83页 |
| ·DR1/SiO_2 吸收谱分析及DR1 掺杂量 | 第83-91页 |
| ·DR1 光吸收原理 | 第84-85页 |
| ·DR1/SiO_2 薄膜的吸收谱与电光系数关系 | 第85-88页 |
| ·DR1 的掺杂浓度与电光系数的关系 | 第88-91页 |
| ·DR1/SiO_2 薄膜中的瞬时极化效应 | 第91-95页 |
| ·极化DR1/SiO_2 薄膜中的瞬时极化效应 | 第91-93页 |
| ·无电晕极化DR1/SiO_2 薄膜的瞬时极化效应 | 第93-95页 |
| ·极化DR1/SiO_2 薄膜作探头的电光探测技术 | 第95-99页 |
| ·用有限差分法计算电极电场分布 | 第95-97页 |
| ·极化DR1/SiO_2 薄膜作为电场传感器 | 第97-99页 |
| 本章小结 | 第99-101页 |
| 参考文献 | 第101-104页 |
| 第5章 DR1/DMF 液态薄膜的电光特征 | 第104-113页 |
| ·DR1/DMF 液态薄膜的吸收谱 | 第104-107页 |
| ·DR1/DMF 液态薄膜的电光系数 | 第107-111页 |
| ·用DR1/DMF 液态薄膜作为电场传感器 | 第111-113页 |
| 本章小结 | 第113-114页 |
| 结论 | 第114-115页 |
| 博士期间发表的论文 | 第115-116页 |
| 致谢 | 第116-117页 |
| 中文摘要 | 第117-120页 |
| ABSTRACT | 第120-122页 |