| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| ·引言 | 第7页 |
| ·GaAs 微波单片电路的发展历史 | 第7-8页 |
| ·单片电路与混合电路的比较 | 第8页 |
| ·GaAs 宽带MMIC 的技术特点和应用 | 第8-11页 |
| ·选题背景 | 第11页 |
| ·MMIC 数控衰减器研制流程 | 第11-13页 |
| ·本文主要研究内容 | 第13-15页 |
| 第二章 GaAs MMIC 数控衰减器芯片电路的设计 | 第15-41页 |
| ·引言 | 第15-16页 |
| ·外延材料的设计 | 第16-18页 |
| ·PHEMT 与HEMT 的区别 | 第16-17页 |
| ·PHEMT 的工作原理 | 第17-18页 |
| ·开关器件的设计、测试和建模 | 第18-29页 |
| ·PHEMT 器件的机理与设计 | 第18-25页 |
| ·开关器件的测试 | 第25-26页 |
| ·开关器件的等效电路及建模 | 第26-29页 |
| ·无源元件的测试和建模 | 第29-32页 |
| ·薄膜电阻 | 第30-31页 |
| ·GaAs 电阻 | 第31页 |
| ·通孔 | 第31-32页 |
| ·微带线及其不均匀区 | 第32页 |
| ·电路拓扑结构的选择 | 第32-35页 |
| ·数控衰减器电路基本原理和设计理念 | 第32-34页 |
| ·基本衰减结构 | 第34-35页 |
| ·MMIC 数控衰减器芯片电路的CAD 优化 | 第35-39页 |
| ·选择EDA 工具 | 第35页 |
| ·电路设计 | 第35-36页 |
| ·电磁场验证 | 第36-39页 |
| ·单片数控衰减器版图布局的设计 | 第39-40页 |
| ·单片数控衰减器电路的可靠性设计 | 第40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第三章 GaAs MMIC 数控衰减器芯片电路的工艺过程及监控 | 第41-49页 |
| ·引言 | 第41页 |
| ·主要工艺流程 | 第41-42页 |
| ·关键工艺 | 第42-45页 |
| ·“T”形栅的光刻与制作 | 第43页 |
| ·芯片钝化 | 第43-44页 |
| ·金属化 | 第44页 |
| ·薄膜电阻 | 第44页 |
| ·背面通孔 | 第44-45页 |
| ·工艺过程监控 | 第45-47页 |
| ·PCM 的全面应用 | 第45-46页 |
| ·SPC 技术的建立和使用 | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-49页 |
| 第四章 GaAs MMIC 数控衰减器芯片电路的测试研究 | 第49-59页 |
| ·引言 | 第49页 |
| ·矢量网络分析仪 | 第49-53页 |
| ·两端口S 参数 | 第49-50页 |
| ·矢量网络分析仪的误差修正 | 第50-53页 |
| ·在片测试系统的研究 | 第53-57页 |
| ·校准参考面 | 第53页 |
| ·微波探针台 | 第53-54页 |
| ·在片测试 | 第54-55页 |
| ·载体测试 | 第55-57页 |
| ·自动测试系统的研究 | 第57页 |
| ·在片测试结果的统计分析 | 第57-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 GaAs MMIC 数控衰减器芯片的研制结果及分析 | 第59-63页 |
| ·研制结果与分析 | 第59-62页 |
| ·电路设计结果 | 第59-60页 |
| ·研制结果 | 第60-61页 |
| ·性能测试分析 | 第61-62页 |
| ·应用与前景 | 第62-63页 |
| 第六章 结论 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 研究成果 | 第71-73页 |
