| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章绪论 | 第8-15页 |
| 1.1钴基材料概述 | 第8页 |
| 1.2钴基材料的分类 | 第8-10页 |
| 1.3钴基氧化物及其复合材料在电化学水解反应中的应用 | 第10-13页 |
| 1.3.1电解水析氧反应机理 | 第10-11页 |
| 1.3.2析氧反应催化剂评价指标 | 第11-12页 |
| 1.3.3钴基材料的在氧析出反应的研究进展 | 第12-13页 |
| 1.4本论文的研究意义与内容 | 第13-15页 |
| 1.4.1本文的研究背景与意义 | 第13页 |
| 1.4.2本文的研究思路与内容 | 第13-14页 |
| 1.4.3创新点 | 第14-15页 |
| 第二章实验部分 | 第15-21页 |
| 2.1实验试剂与仪器 | 第15-16页 |
| 2.1.1实验试剂 | 第15-16页 |
| 2.1.2实验仪器 | 第16页 |
| 2.2表征方法及原理 | 第16-19页 |
| 2.2.1扫描电子显微镜（SEM） | 第16-17页 |
| 2.2.2X射线能谱仪（EDS） | 第17页 |
| 2.2.3X射线衍射仪（XRD） | 第17-18页 |
| 2.2.4透射电子显微镜（TEM） | 第18页 |
| 2.2.5物理吸附仪（N2PhysisorptionInstrument） | 第18页 |
| 2.2.6X射线光电子能谱（XPS） | 第18-19页 |
| 2.3电化学性能测试方法 | 第19-21页 |
| 2.3.1电化学体系及电极的制备 | 第19页 |
| 2.3.2循环伏安测试 | 第19页 |
| 2.3.3交流阻抗测试 | 第19-20页 |
| 2.3.4线性伏安扫描法测试 | 第20页 |
| 2.3.5电化学测试装置 | 第20-21页 |
| 第三章可控晶面暴露的空心十二面体Co3O4及其复合氧化物的合成以及电催化性能 | 第21-41页 |
| 3.1引言 | 第21-22页 |
| 3.2材料的合成 | 第22-24页 |
| 3.2.1ZIFs前驱体的合成 | 第22-23页 |
| 3.2.2不同十二面体空心结构Co3O4复合材料的合成 | 第23-24页 |
| 3.3结果与讨论 | 第24-33页 |
| 3.3.1不同ZIFs前驱体结构表征 | 第24-26页 |
| 3.3.2不同十二面体纳米结构Co3O4复合材料结构表征 | 第26-33页 |
| 3.3.2.1十二面体中空结构Co3O4材料结构表征 | 第26-30页 |
| 3.3.2.2不同取向性的锰钴氧化物复合材料结构表征 | 第30-32页 |
| 3.3.2.3二元尖晶石铜钴氧化物结构表征 | 第32-33页 |
| 3.4电化学及电催化性能测试 | 第33-40页 |
| 3.4.1中空结构Co3O4修饰电极的电催化性能测试 | 第33-37页 |
| 3.4.2不同取向性的锰钴氧化物修饰电极的电催化性能测试 | 第37-39页 |
| 3.4.3二元尖晶石铜钴氧化物修饰电极的电催化性能测试 | 第39-40页 |
| 3.5小结 | 第40-41页 |
| 第四章有序介孔Co3O4/SnO2的合成及其电催化性能 | 第41-55页 |
| 4.1引言 | 第41-42页 |
| 4.2材料的合成 | 第42-43页 |
| 4.2.1有序介孔二氧化硅KIT-6模板的合成 | 第42页 |
| 4.2.2不同介观结构及成分组成的有序介孔Co3O4/SnO2复合材料的合成 | 第42-43页 |
| 4.3结果与讨论 | 第43-50页 |
| 4.3.1有序介孔二氧化硅KIT-6介观结构表征 | 第43-44页 |
| 4.3.2填充方法对有序介孔Co3O4/SnO2介观结构的影响 | 第44-45页 |
| 4.3.3除模板方法对有序介孔Co3O4/SnO2介观结构的影响 | 第45-46页 |
| 4.3.4填充次数对有序介孔Co3O4/SnO2介观结构的影响 | 第46-47页 |
| 4.3.5有序介孔不同锡钴比例的Co3O4/SnO2介观结构的影响 | 第47-50页 |
| 4.4电化学性能测试 | 第50-54页 |
| 4.4.1有序介孔Co3O4的电化学测试 | 第50-52页 |
| 4.4.2有序介孔Co3O4/SnO2的电化学测试 | 第52-54页 |
| 4.5小结 | 第54-55页 |
| 第五章结论 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-62页 |
| 附录 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 个人简介 | 第65页 |
| 硕士期间研究成果 | 第65页 |
