| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-33页 |
| 1.1 钙钛矿纳米材料简介 | 第9-16页 |
| 1.1.1 钙钛矿的结构 | 第9-12页 |
| 1.1.2 钙钛矿纳米材料分类 | 第12-13页 |
| 1.1.3 钙钛矿纳米材料的制备方法 | 第13-16页 |
| 1.2 钙钛矿半导体器件研究进展 | 第16-31页 |
| 1.2.1 基于钙钛矿CsPbBr_3纳米材料的半导体器件 | 第16-27页 |
| 1.2.2 基于类钙钛矿CsPb_2Br_5纳米材料的半导体器件 | 第27-31页 |
| 1.3 本课题的研究目的及研究内容 | 第31-33页 |
| 1.3.1 研究目的 | 第31页 |
| 1.3.2 研究内容 | 第31-33页 |
| 2 钙钛矿CsPbBr_3量子点配体改性和电致发光二极管研究 | 第33-47页 |
| 2.1 采用油酸作为配体的CsPbBr_3量子点的制备 | 第33-34页 |
| 2.1.1 实验试剂与仪器 | 第33-34页 |
| 2.1.2 合成方法 | 第34页 |
| 2.2 CsPbBr_3量子点存在的问题 | 第34-35页 |
| 2.3 采用2-己基癸酸作为配体的CsPbBr_3量子点研究 | 第35-39页 |
| 2.3.1 采用2-己基癸酸作为配体的CsPbBr_3量子点合成工艺研究 | 第35-37页 |
| 2.3.2 2-己基癸酸、油酸CsPbBr_3量子点性质的对比 | 第37-39页 |
| 2.4 CsPbBr_3量子点的电致发光LEDs的研究 | 第39-45页 |
| 2.4.1 基于CsPbBr_3量子点的电致发光LEDs器件的制备 | 第39-41页 |
| 2.4.2 基于CsPbBr_3量子点的电致发光LEDs器件的性能分析 | 第41-42页 |
| 2.4.3 基于2-己基癸酸量子点的电致发光LEDs器件的结构研究和性能分析 | 第42-45页 |
| 2.5 本章小结 | 第45-47页 |
| 3 可调发光CsPb_2Br_5纳米片的制备及表征 | 第47-57页 |
| 3.1 可调发光CsPb_2Br_5纳米片的制备 | 第47-48页 |
| 3.1.1 实验试剂与仪器 | 第47-48页 |
| 3.1.2 实验方法 | 第48页 |
| 3.2 可调发光CsPb_2Br_5纳米片的表征 | 第48-55页 |
| 3.2.1 SEM和AFM表征 | 第48-50页 |
| 3.2.2 TEM和EDS表征 | 第50-53页 |
| 3.2.3 荧光、吸收光谱、寿命和XRD表征 | 第53-55页 |
| 3.3 本章小结 | 第55-57页 |
| 4 可调发光CsPb_2Br_5纳米片的光电应用研究 | 第57-67页 |
| 4.1 基于CsPb_2Br_5纳米片的荧光转换绿光LEDs研究 | 第57-62页 |
| 4.1.1 未封装的GaN基LEDs灯珠半成品及其光电性能 | 第57-58页 |
| 4.1.2 纳米片溶液浓度配置及膜层厚度测定 | 第58-59页 |
| 4.1.3 荧光转换LEDs发射光谱与溶液包覆量的关系 | 第59-60页 |
| 4.1.4 纯绿光LEDs的光电性能 | 第60-62页 |
| 4.2 可调发光CsPb_2Br_5纳米片的光电响应研究 | 第62-65页 |
| 4.2.1 基于可调发光CsPb_2Br_5纳米片的光电响应器件的制备 | 第62页 |
| 4.2.2 基于可调发光CsPb_2Br_5纳米片的光电响应器件的性能分析 | 第62-65页 |
| 4.3 本章小结 | 第65-67页 |
| 5 结论与展望 | 第67-69页 |
| 5.1 研究结论 | 第67-68页 |
| 5.2 展望 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-79页 |
| 附录 | 第79页 |
| A 作者在攻读学位期间发表的论文目录 | 第79页 |
| B 申请的专利 | 第79页 |
| C 作者在攻读学位期间获得的奖项 | 第79页 |
