| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-23页 |
| 1.1 太阳电池概论 | 第10-15页 |
| 1.1.1 研究背景 | 第10-13页 |
| 1.1.2 太阳电池的基本原理及特性参数 | 第13-15页 |
| 1.2 Cu_2ZnSn(S,Se)_4薄膜太阳电池的研究进程 | 第15-21页 |
| 1.2.1 Cu_2ZnSn(S,Se)_4的晶体结构 | 第15-16页 |
| 1.2.2 Cu_2ZnSn(S,Se)_4薄膜太阳电池的结构 | 第16-17页 |
| 1.2.3 Cu_2ZnSn(S,Se)_4薄膜太阳电池的发展及挑战 | 第17-21页 |
| 1.3 本论文的主要研究内容 | 第21-23页 |
| 第二章 Cu_2ZnSn(S,Se)_4薄膜太阳电池的制备及表征 | 第23-32页 |
| 2.1 实验材料与仪器 | 第23-24页 |
| 2.2 Cu_2ZnSn(S,Se)_4薄膜太阳电池各功能层的制备 | 第24-27页 |
| 2.2.1 前驱层的制备 | 第24-26页 |
| 2.2.2 缓冲层的制备 | 第26-27页 |
| 2.2.3 窗口层的制备 | 第27页 |
| 2.3 Cu_2ZnSn(S,Se)_4薄膜及电池器件的表征 | 第27-32页 |
| 2.3.1 Cu_2ZnSn(S,Se)_4薄膜的表征 | 第28-31页 |
| 2.3.2 Cu_2ZnSn(S,Se)_4薄膜太阳电池器件的表征 | 第31-32页 |
| 第三章 Cu_2ZnSn(S,Se)_4薄膜吸收层的制备 | 第32-59页 |
| 3.1 引言 | 第32-34页 |
| 3.2 氩气保护退火处理对Cu_2ZnSn(S,Se)_4薄膜吸收层的影响 | 第34-39页 |
| 3.3 硫化处理对Cu_2ZnSn(S,Se)_4薄膜吸收层的影响 | 第39-49页 |
| 3.4 硒化处理对Cu_2ZnSn(S,Se)_4薄膜吸收层的影响 | 第49-57页 |
| 3.5 本章小结 | 第57-59页 |
| 第四章 Cu_2ZnSn(S,Se)_4薄膜太阳电池各功层的优化及器件制备 | 第59-73页 |
| 4.1 背电极Mo层的优化制备 | 第59-62页 |
| 4.2 缓冲层CdS的优化制备 | 第62-63页 |
| 4.3 窗口层的优化制备 | 第63-68页 |
| 4.3.1 TCO层的选择 | 第64-66页 |
| 4.3.2 ITO层的优化制备 | 第66-68页 |
| 4.4 Cu_2ZnSn(S,Se)_4薄膜太阳电池的制备 | 第68-69页 |
| 4.5 Cu_2ZnSnS_4纯硫化物薄膜太阳电池的制备 | 第69-71页 |
| 4.6 小结 | 第71-73页 |
| 第五章 总结与展望 | 第73-76页 |
| 5.1 总结 | 第73-74页 |
| 5.2 展望 | 第74-76页 |
| 参考文献 | 第76-85页 |
| 致谢 | 第85-86页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第86页 |
